-
公开(公告)号：CN100367584C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN02813089.8
申请日：2002-06-28
申请人： 美莎诺普有限公司
CPC分类号： H01L21/6835 , G02B6/4204 , G02B6/4249 , G02B6/4292 , H01L24/95 , H01L25/167 , H01L27/144 , H01L27/156 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01S5/0201 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/4087 , H01S5/423 , H01L2924/00
摘要： 描述了一种将芯片和顶面光学芯片集成在一起的方法。顶面光学芯片至少有一个光学器件，该器件有一个包括一个光学活性区域的活性面，一个有一定高度的激光器腔，一个光学非活性区域，一个和活性面相对的键合面和一个器件厚度。该方法包括，将光学芯片键合到电子芯片上；施加一个衬底到活性面上，该衬底有一个在活性区域上面的在一个第一数量和一个第二数量之间的衬底厚度，和施加一个抗反射涂层，在施加抗反射涂层时不需形成特殊的图形或在至少一个的光学激光器器件和其他器件之间进行区别。
-
公开(公告)号：CN1579002A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN02813090.1
申请日：2002-06-28
申请人： 美莎诺普有限公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/6835 , G02B6/4204 , G02B6/4249 , G02B6/4292 , H01L24/95 , H01L25/167 , H01L27/144 , H01L27/156 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01S5/0201 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/4087 , H01S5/423 , H01L2924/00
摘要： 描述了一种将芯片和背部活性光学芯片集成在一起的方法。背部活性光学芯片至少有一个光学器件，有一个活性侧面，包括一个光学活性区域和一个光学非活性区域，每个都邻接于衬底(102)，一个和活性侧面相对的键合侧面，和一个器件厚度。该方法包括，如果在光学活性区域上方的衬底有一个超过100微米的衬底厚度(t)，就使在光学活性区域上的衬底减薄，而在光学非活性区域上至少保留一些衬底；使用弹抛片工艺把光学芯片键合到电子芯片(508)上；在光学活性区域上方的衬底上制造光学接近进路(510)。
-
公开(公告)号：CN1539091A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN02813096.0
申请日：2002-06-28
申请人： 美莎诺普有限公司
IPC分类号： G02B6/38
CPC分类号： G02B6/4249 , G02B6/12002 , G02B6/138 , G02B6/32 , G02B6/3644 , G02B6/3692 , G02B6/38 , G02B6/3834 , G02B6/3885 , G02B6/42
摘要： 一种凹型连接器，可用于连接有对准销的凸型连接器，所描述的凹型连接器有一个连接到低精度部件的高精度部件。低精度部件设有一个对准开口，其尺寸能接纳凸型连接器的对准销。高精度部件也设有一个对准开口。对准开口的尺寸和位置被确定成在耦合中提供部件之间的精确对准，耦合以后，调整高精度部件，以便调整后的第二对准开口比其连接前的大。形成凹型套圈的一种方法包括将高精度部件部件通过各自的对准孔连接到低精度部件，对准孔的尺寸确定成能接纳共同的对准销，用于在耦合中保持部件之间的精确对准，在耦合以后，去除一些对准孔的孔壁。
-
公开(公告)号：CN1274005C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN02813097.9
申请日：2002-06-28
申请人： 美莎诺普有限公司
CPC分类号： H01L21/6835 , G02B6/4204 , G02B6/4249 , G02B6/4292 , H01L24/95 , H01L25/167 , H01L27/144 , H01L27/156 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01S5/0201 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/4087 , H01S5/423 , H01L2924/00
摘要： 制造一种含有至少一个耦合到一个电学芯片(1518)的底有源器件(1504)的混合芯片的方法包括组合一个底有源光器件和一个电子芯片，其时至少一些底有源光学器件接触点与至少一些电子芯片接触点不对准。该方法包括向底有源光学器件添加一个绝缘层(1506)，该绝缘层有一定的厚度和一个第一面一个第二面，将绝缘层的第一表面粘贴于底有源光学器件的和衬底相对的表面上，在绝缘层上与光学器件和电子芯片的有源接触点基本重合的点形成从第二面向第一面延伸的开口)，使侧壁导电以及用导电材料将这些点与底有源光学器件接触点和电子芯片接触点相连接。
-
公开(公告)号：CN1636263A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN02813185.1
申请日：2002-06-28
申请人： 美莎诺普有限公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L21/76898 , H01L31/035281 , H01L33/0079 , H01L33/105 , H01L33/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01S5/0207 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/183 , Y02E10/50 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 将在顶面有电接触点的顶面光学器件与在一个连接面有电接触点的电子芯片(324)集成的一种方法，包括形成一个由壁限定的沟槽(308)，该沟槽从含有顶面光学器件的晶片的顶面延伸到晶片衬底(304)内，通过将导电材料施加到壁的一部分使该部分导电；并将衬底减薄到暴露该导电材料。
-
公开(公告)号：CN100381847C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN02813096.0
申请日：2002-06-28
申请人： 美莎诺普有限公司
IPC分类号： G02B6/38
CPC分类号： G02B6/4249 , G02B6/12002 , G02B6/138 , G02B6/32 , G02B6/3644 , G02B6/3692 , G02B6/38 , G02B6/3834 , G02B6/3885 , G02B6/42
摘要： 一种凹型连接器，可用于连接有对准销的凸型连接器，所描述的凹型连接器有一个连接到低精度部件的高精度部件。低精度部件设有一个对准开口，其尺寸能接纳凸型连接器的对准销。高精度部件也设有一个对准开口。对准开口的尺寸和位置被确定成在耦合中提供部件之间的精确对准，耦合以后，调整高精度部件，以便调整后的第二对准开口比其连接前的大。形成凹型套圈的一种方法包括将高精度部件部件通过各自的对准孔连接到低精度部件，对准孔的尺寸确定成能接纳共同的对准销，用于在耦合中保持部件之间的精确对准，在耦合以后，去除一些对准孔的孔壁。
-
公开(公告)号：CN1285098C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN02813100.2
申请日：2002-06-28
申请人： 美莎诺普有限公司
CPC分类号： H01L21/6835 , G02B6/4204 , G02B6/4249 , G02B6/4292 , H01L24/95 , H01L25/167 , H01L27/144 , H01L27/156 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01S5/0201 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/4087 , H01S5/423 , H01L2924/00
摘要： 一种制造含有至少一个耦合到电子芯片上的顶有源器件的混合芯片的方法。该方法中顶有源器件和有电子芯片接触点的电子芯片结合，至少一些顶有源器件接触点和至少一些电子芯片接触点不对准，至少一些顶有源器件接触点的每一个接触点都有一个电气相应的电子芯片接触点。本方法包括生成侧壁，该侧壁在衬底的与第一侧面相对的第二侧面上的和第一侧面的有源器件接触点基本重合的这些点上界定开口，该侧壁从第一侧面上的有源器件接触点穿过该衬底延伸到衬底的第二侧面；使侧壁导电以形成从有源器件接触点到所述这些点之间的导电通路；和用位于有源光学器件芯片第二侧面的导电材料将所述这些点连接到和至少一些电子芯片接触点相应对准的位置。
-
公开(公告)号：CN1522380A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN02813099.5
申请日：2002-06-28
申请人： 美莎诺普有限公司
IPC分类号： G02B6/36
CPC分类号： G02B6/4249 , G02B6/12002 , G02B6/138 , G02B6/32 , G02B6/3644 , G02B6/3692 , G02B6/38 , G02B6/3834 , G02B6/3885 , G02B6/42
摘要： 一种优化特征的方法，该特征由在晶片材料上的壁界定，使其达到高于1微米的精度。该方法包括通过将该壁暴露在反应气体中，用该反映气体对壁进行处理，使该壁变成一种包覆层材料，而且以一种限定的，均匀的方式从壁向外扩张，直至达到该特征理想的尺寸。另一种优化特征的方法，该特征由在晶片材料上的壁界定，使其达到高于1微米的精度，该方法包括在壁的至少一部分上淀积一种基底材料，使得更容易在壁上，在基底材料的顶部以限定的，均匀的方式镀覆材料，和在壁的至少一部分上镀覆材料，直至达到该特征的理想尺寸。
-
公开(公告)号：CN100355014C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN02813185.1
申请日：2002-06-28
申请人： 美莎诺普有限公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L21/76898 , H01L31/035281 , H01L33/0079 , H01L33/105 , H01L33/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01S5/0207 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/183 , Y02E10/50 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 将在顶面有电接触点的顶面光学器件与在一个连接面有电接触点的电子芯片(324)集成的一种方法，包括形成一个由壁限定的沟槽(308)，该沟槽从含有顶面光学器件的晶片的顶面延伸到晶片衬底(304)内，通过将导电材料施加到壁的一部分使该部分导电；并将衬底减薄到暴露该导电材料。
-
公开(公告)号：CN1261783C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN02813099.5
申请日：2002-06-28
申请人： 美莎诺普有限公司
CPC分类号： G02B6/4249 , G02B6/12002 , G02B6/138 , G02B6/32 , G02B6/3644 , G02B6/3692 , G02B6/38 , G02B6/3834 , G02B6/3885 , G02B6/42
摘要： 一种优化连接器特征的方法，该特征由在晶片材料上的壁界定，使其达到高于1微米的精度。该方法包括通过将该壁暴露在反应气体中，用该反映气体对壁进行处理，使该壁变成一种包覆层材料，而且以一种限定的，均匀的方式从壁向外扩张，直至达到该特征精度内的理想尺寸。另一种优化连接器特征的方法，该特征由在晶片材料上的壁界定，使其达到高于1微米的精度，该方法包括使壁的至少一部分暴露在反应气体中，使壁的至少一部分和反应气体反应，形成氧化物，从而壁的至少一部分上形成一种基底材料，使得更容易在壁上，在基底材料的顶部以限定的，均匀的方式镀覆材料，和在壁的至少一部分上镀覆材料，直至达到该特征精度内的理想尺寸。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
13 条记录 (耗时 0.033 秒)