发明授权
CN100375288C 发光器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 发光器件及其制造方法
- 专利标题(英): Illumination device and making method thereof
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申请号: CN02104596.8申请日: 2002-02-09
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公开(公告)号: CN100375288C公开(公告)日: 2008-03-12
- 发明人: 山形裕和 , 山崎舜平 , 高山彻
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川县厚木市
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县厚木市
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 陈景峻; 梁永
- 优先权: 41195/01 2001.02.19 JP
- 主分类号: H01L27/15
- IPC分类号: H01L27/15 ; H01L33/00 ; H05B33/00
摘要:
提供一种高质量的发光器件,其具有长耐久的发光元件,该发光器件没有由于允许较小退化的结构造成的常规元件的问题,并提供制造发光器件的方法。形成堤之后,用PVA(聚乙烯醇)基多孔物质等擦洗暴露的阳极表面,以便整平该表面并从该表面去除灰尘。在TFT上的层间绝缘膜和阳极之间形成绝缘膜。或者,在TFT上的层间绝缘膜表面上进行等离子体处理,用于表面修正。
公开/授权文献
- CN1372325A 发光器件及其制造方法 公开/授权日:2002-10-02