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    半导体装置
    3.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN118872401A

    公开(公告)日：2024-10-29

    申请号：CN202380021364.5

    申请日：2023-02-06

    申请人： 株式会社半导体能源研究所

    发明人： 山崎舜平 ,  大贯达也 ,  国武宽司 ,  方堂凉太

    IPC分类号： H10B12/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H10B41/70

    摘要： 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一存储单元、第一存储单元上的第二存储单元、第一导电体、第一导电体上的第二导电体。第一存储单元及第二存储单元分别包括晶体管及电容器。晶体管的源极和漏极中的一个与电容器的下部电极电连接。第一导电体具有与第一存储单元中的晶体管的源极和漏极中的另一个接触的部分，第一导电体的顶面具有与第二导电体的底面接触的部分，第二导电体具有与第二存储单元中的晶体管的源极和漏极中的另一个接触的部分。

    半导体装置以及半导体装置的制造方法
    5.
    发明公开
    半导体装置以及半导体装置的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118800810A

    公开(公告)日：2024-10-18

    申请号：CN202410924563.3

    申请日：2019-02-19

    申请人： 株式会社半导体能源研究所

    发明人： 山崎舜平 ,  马场晴之 ,  村山史织

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/417

    摘要： 提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置包括晶体管，该晶体管包括：第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第三氧化物、第二氧化物上的第一导电体及第二导电体、第二绝缘体、第三导电体、第一导电体及第二导电体上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第三绝缘体，其中在第三绝缘体及第四绝缘体中设置到达第二氧化物的开口，以覆盖开口的内壁的方式配置第三氧化物，以隔着第三氧化物覆盖开口的内壁的方式配置第二绝缘体，以隔着第三氧化物及第二绝缘体填充开口的方式配置第三导电体，并且在晶体管的沟道长度方向上，第一绝缘体的底面和与第二导电体相对的第一导电体的侧面所形成的角度小于90度。

    半导体装置及半导体装置的制造方法
    6.
    发明公开
    半导体装置及半导体装置的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118748210A

    公开(公告)日：2024-10-08

    申请号：CN202410756119.5

    申请日：2018-03-02

    申请人： 株式会社半导体能源研究所

    发明人： 肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  中泽安孝 ,  保坂泰靖 ,  山崎舜平

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34

    摘要： 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种电特性良好的半导体装置、可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。

    半导体装置
    7.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN118715885A

    公开(公告)日：2024-09-27

    申请号：CN202380022270.X

    申请日：2023-02-13

    申请人： 株式会社半导体能源研究所

    发明人： 国武宽司 ,  井坂史人 ,  大贯达也 ,  山崎舜平

    IPC分类号： H10B41/70 ,  G11C11/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

    摘要： 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。在该半导体装置中，第一晶体管包括从下方依次层叠的第一导电体、第一绝缘体、第一金属氧化物、第二绝缘体及第二导电体以及覆盖第一金属氧化物的顶面及侧面的一部分的第三导电体及第四导电体，第二晶体管包括从下方依次层叠的第五导电体、第一绝缘体、第二金属氧化物、第三绝缘体及第六导电体以及覆盖第二金属氧化物的顶面及侧面的一部分的第七导电体及第八导电体，第三晶体管包括从下方依次层叠的第九导电体、第一绝缘体、第二金属氧化物、第四绝缘体及第十导电体、第八导电体以及覆盖第二金属氧化物的顶面及侧面的一部分的第十一导电体，包含可具有铁电性的材料的电容器的一个电极与第三导电体及第六导电体电连接。

    存储装置
    8.
    发明公开
    存储装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN118633362A

    公开(公告)日：2024-09-10

    申请号：CN202380019699.3

    申请日：2023-01-23

    申请人： 株式会社半导体能源研究所

    发明人： 山崎舜平 ,  大贯达也 ,  加藤清 ,  国武宽司 ,  方堂凉太

    IPC分类号： H10B12/00 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

    摘要： 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括具有晶体管及电容器的存储单元、第一绝缘体以及第一绝缘体上的第二绝缘体，晶体管包括第一绝缘体上的氧化物、氧化物上的第一导电体及第二导电体、氧化物上的第三绝缘体以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体及第三导电体配置在第二绝缘体所包括的第一开口中，电容器包括与第二导电体的顶面接触的第四导电体、第四导电体上的第四绝缘体及第四绝缘体上的第五导电体，第四导电体、第四绝缘体及第五导电体配置在第二绝缘体所包括的第二开口中，所述第一绝缘体、所述第二绝缘体及所述第一导电体中形成有第三开口，第三开口中配置有第六导电体，第六导电体包括与多个层的每一个所包括的第一导电体的顶面的一部分及侧面的一部分接触的区域。