发明授权
- 专利标题： 半导体存储器件
- 专利标题（英）： Semiconductor storage device
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申请号： CN200310123313.8申请日： 2003-12-17
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公开(公告)号： CN100388387C公开(公告)日： 2008-05-14
- 发明人: 仲矢修治
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 株式会社索思未来
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 黄剑锋
- 优先权： 368744/2002 2002.12.19 JP
- 主分类号： G11C11/40
- IPC分类号： G11C11/40 ; G11C7/12
摘要：
本发明提供一种半导体存储器件，即便存储单元和充电用晶体管的电流能力变小、且位线容量增加，也可进行高速读出。在读出放大器中，除充电用P型MOS晶体管外，在达到对存储单元的数据进行判定的电路中所包含的判定用反相器的转换电平之前，作为对所选择的位线充电的电路，设置P型MOS晶体管与N型MOS晶体管，通过高速地对位线充电，缩短读出时间。
公开/授权文献
- CN1516189A 半导体存储器件 公开/授权日：2004-07-28
