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公开(公告)号：CN1641794A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200510003622.0
申请日：2005-01-07
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11C17/18 , H01L27/112
CPC分类号： G11C17/12 , G11C7/1051 , G11C7/106 , G11C7/1069 , G11C17/14 , G11C29/1201 , G11C29/14 , G11C2029/1202 , G11C2029/1204
摘要： 通过切换连接于输出缓冲电路上的锁存电路的输出端与反转输出端，改变数据“0”或“1”和存储单元的漏极连接或非连接于位线上的关系。此外，通过根据测试控制信号TEST将读出放大器的输入固定于接地电位，确认：若输出缓冲电路的输出是“L”则为正逻辑，若是“H”则为负逻辑。
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公开(公告)号：CN1316603C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN03136873.5
申请日：2003-05-22
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/112
CPC分类号： H01L27/1122 , H01L27/112 , H01L27/11226
摘要： 本发明目的在于谋求安置在多层布线结构的半导体集成电路装置上的掩模ROM的存储数据变更时的制造TAT的缩短，同时，提高制造合格率。例如，当制造设有5层布线层的半导体集成电路装置的情况下，在频繁变更在掩模ROM上写入数据的样品或试制品的制造时，把位线作成最上层的第5金属布线层，通过把就在其下的层间绝缘层作为数据写入用通孔的形成层，缩短制造TAT。然后，在ROM数据确定之后的制品大批量产品制造时，在最下层的第1金属布线层形成位线，通过把就在其下的层间绝缘层作为数据写入用通孔的形成层，降低构成存储单元的层数，减少存储单元的制造工序数数，这样可提高制品的合格率。
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公开(公告)号：CN1269139C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN03122418.0
申请日：2003-04-25
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11C17/18 , G11C11/413
CPC分类号： G11C7/22 , G11C8/08 , G11C17/12 , G11C2207/2281
摘要： 提供一种半导体存储器，通过消除由存储单元的截止泄漏电流平稳地产生的位线的电流，可增加每根位线的存储单元数，实现存储单元阵列的大规模化，减小芯片面积。为此，设置源极线电位控制电路，具有“非”门根据选择字线的行选信号来选择性地设定源极线的电位为接地电位；源极电位控制电路将由行选信号变为非选择的存储单元上连接的源极线的电位设定为与由行选信号选择出的存储单元上连接的源极线的电位不同的电位，使得上述变为非选择的存储单元中包含的晶体管的截止泄漏电流减少。由此，缩小构成非选择的存储单元的晶体管的源极和连接之间的电位差，消除泄漏电流。
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公开(公告)号：CN1519862A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200310122583.7
申请日：2003-12-10
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11C17/00 , G11C17/18 , H01L27/112
CPC分类号： G11C29/846 , G11C29/785
摘要： 本发明提供将缺陷存储单元置换成地址存储电路及数据存储电路的情况下的数据读出时间与从存储单元阵列读出数据的情况下的数据读出时间相等的，芯片面积小的半导体装置。本发明的半导体装置具有：共用输出数据线，根据存储装置选择信息及地址信息输出从存储单元读出的数据的多个读出专用存储装置和转换装置，所述转换装置具有：存储缺陷存储单元的存储装置选择信息及地址信息的地址存储电路；存储缺陷存储单元的置换数据的数据存储电路；以及输入通过输出数据线输出的，读出专用存储装置的输出数据与数据存储电路的输出数据，根据地址存储电路存储的存储装置选择信息及地址信息，输出其中一方的转换电路。
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公开(公告)号：CN100527279C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200310122583.7
申请日：2003-12-10
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11C17/00 , G11C17/18 , H01L27/112
CPC分类号： G11C29/846 , G11C29/785
摘要： 本发明提供将缺陷存储单元置换成地址存储电路及数据存储电路的情况下的数据读出时间与从存储单元阵列读出数据的情况下的数据读出时间相等的，芯片面积小的半导体装置。本发明的半导体装置具有：共用输出数据线，根据存储装置选择信息及地址信息输出从存储单元读出的数据的多个读出专用存储装置和转换装置，所述转换装置具有：存储缺陷存储单元的存储装置选择信息及地址信息的地址存储电路；存储缺陷存储单元的置换数据的数据存储电路；以及输入通过输出数据线输出的，读出专用存储装置的输出数据与数据存储电路的输出数据，根据地址存储电路存储的存储装置选择信息及地址信息，输出其中一方的转换电路。
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公开(公告)号：CN100388387C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200310123313.8
申请日：2003-12-17
申请人： 松下电器产业株式会社
发明人： 仲矢修治
摘要： 本发明提供一种半导体存储器件，即便存储单元和充电用晶体管的电流能力变小、且位线容量增加，也可进行高速读出。在读出放大器中，除充电用P型MOS晶体管外，在达到对存储单元的数据进行判定的电路中所包含的判定用反相器的转换电平之前，作为对所选择的位线充电的电路，设置P型MOS晶体管与N型MOS晶体管，通过高速地对位线充电，缩短读出时间。
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公开(公告)号：CN1516189A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310123313.8
申请日：2003-12-17
申请人： 松下电器产业株式会社
发明人： 仲矢修治
摘要： 本发明提供一种半导体存储器件，即便存储单元和充电用晶体管的电流能力变小、且位线容量增加，也可进行高速读出。在读出放大器中，除充电用P型MOS晶体管外，在达到对存储单元的数据进行判定的电路中所包含的判定用反相器的转换电平之前，作为对所选择的位线充电的电路，设置P型MOS晶体管与N型MOS晶体管，通过高速地对位线充电，缩短读出时间。
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公开(公告)号：CN1461052A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03136873.5
申请日：2003-05-22
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/112
CPC分类号： H01L27/1122 , H01L27/112 , H01L27/11226
摘要： 本发明目的在于谋求安置在多层布线结构的半导体集成电路装置上的掩模ROM的存储数据变更时的制造TAT的缩短，同时，提高制造合格率。例如，当制造设有5层布线层的半导体集成电路装置的情况下，在频繁变更在掩模ROM上写入数据的样品或试制品的制造时，把位线作成最上层的第5金属布线层，通过把就在其下的层间绝缘层作为数据写入用通孔的形成层，缩短制造TAT。然后，在ROM数据确定之后的制品大批量产品制造时，在最下层的第1金属布线层形成位线，通过把就在其下的层间绝缘层作为数据写入用通孔的形成层，降低构成存储单元的层数，减少存储单元的制造工序数数，这样可提高制品的合格率。
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公开(公告)号：CN1453797A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03122418.0
申请日：2003-04-25
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11C17/18 , G11C11/413
CPC分类号： G11C7/22 , G11C8/08 , G11C17/12 , G11C2207/2281
摘要： 提供一种半导体存储器，通过消除由存储单元的截止泄漏电流平稳地产生的位线的电流，可增加每根位线的存储单元数，实现存储单元阵列的大规模化，减小芯片面积。为此，设置源极线电位控制电路，将构成由行选信号选择出的存储单元的晶体管的源极电位设定为接地电位，将构成由行选信号变为非选择的存储单元的晶体管的源极电位设定为电源电位。由此，缩小构成非选择的存储单元的晶体管的源极和连接之间的电位差，消除泄漏电流。
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