随机数生成元件
摘要:
本发明提供一种随机数生成元件,利用了物理现象中的随机噪声,不使用放大电路,也能实现1Mbit/s以上的随机数生成速率。在沟道上设置导电性微粒,所述导电性微粒可与在半导体表面之间通过非常薄的隧道绝缘膜进行电子的充放电,使沟道宽度W变窄,并且增大导电性微粒的面密度Ddot,并且减小沟道与导电性微粒间的隧道电阻。例如,在将膜厚0.8nm的硅氮化膜设为隧道绝缘膜的体基板上的元件的情况下,若按1.7×1012cm-2的面密度形成沟道宽度W=0.1μm、平均粒径d=8nm的Si微晶粒群,就能够有0.1%的1MHz的噪声分量。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(H01L31/00至H01L47/00,H01L51/05优先;除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00;由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00)
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的(H01L29/96优先)
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
0/0