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公开(公告)号：CN102473682A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200980160141.7
申请日：2009-09-25
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： B82Y10/00 , G11C16/0466 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/7881 , H01L29/792
摘要： 本发明一种非易失性半导体存储器，具备：第1栅极绝缘膜，形成于半导体基板的沟道区域上；第1微粒层，形成于第1栅极绝缘膜中，包含满足库仑阻塞条件的第1导电性微粒；电荷积蓄部，形成于第1栅极绝缘膜上；第2栅极绝缘膜，形成于电荷积蓄部上；第2微粒层，形成于第2栅极绝缘膜中，包含平均粒径与第1导电性微粒不同、且满足库仑阻塞条件的第2导电性微粒；以及栅电极，形成于第2栅极绝缘膜上。
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公开(公告)号：CN102473682B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200980160141.7
申请日：2009-09-25
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： B82Y10/00 , G11C16/0466 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/7881 , H01L29/792
摘要： 本发明一种非易失性半导体存储器，具备：第1栅极绝缘膜，形成于半导体基板的沟道区域上；第1微粒层，形成于第1栅极绝缘膜中，包含满足库仑阻塞条件的第1导电性微粒；电荷积蓄部，形成于第1栅极绝缘膜上；第2栅极绝缘膜，形成于电荷积蓄部上；第2微粒层，形成于第2栅极绝缘膜中，包含平均粒径与第1导电性微粒不同、且满足库仑阻塞条件的第2导电性微粒；以及栅电极，形成于第2栅极绝缘膜上。
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公开(公告)号：CN102683387B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210069785.9
申请日：2012-03-16
申请人： 株式会社东芝
发明人： 大场竜二
IPC分类号： H01L29/06 , H01L27/115
CPC分类号： H01L21/28273 , B82Y10/00 , G11C2216/06 , H01L21/28282 , H01L29/42332
摘要： 本发明公开了一种半导体存储器。在一个实施方式中，提供了一种半导体存储器，该半导体存储器包括：具有沟道区的半导体衬底；形成在所述沟道区上的第一隧道绝缘膜；处于所述第一隧道绝缘膜上的第一细粒层，所述第一细粒层包括第一导电细粒；处于所述第一细粒层上的第二隧道绝缘膜；处于所述第二隧道绝缘膜上的第二细粒层，所述第二细粒层包括第二导电细粒；处于所述第二细粒层上的第三隧道绝缘膜；处于所述第三隧道绝缘膜上的第三细粒层，所述第三细粒层包括第三导电细粒。所述第二导电细粒的平均颗粒直径大于所述第一导电细粒的平均颗粒直径和所述第三导电细粒的平均颗粒直径。
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公开(公告)号：CN102683387A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210069785.9
申请日：2012-03-16
申请人： 株式会社东芝
发明人： 大场竜二
IPC分类号： H01L29/06 , H01L27/115
CPC分类号： H01L21/28273 , B82Y10/00 , G11C2216/06 , H01L21/28282 , H01L29/42332
摘要： 本发明公开了一种半导体存储器。在一个实施方式中，提供了一种半导体存储器，该半导体存储器包括：具有沟道区的半导体衬底；形成在所述沟道区上的第一隧道绝缘膜；处于所述第一隧道绝缘膜上的第一细粒层，所述第一细粒层包括第一导电细粒；处于所述第一细粒层上的第二隧道绝缘膜；处于所述第二隧道绝缘膜上的第二细粒层，所述第二细粒层包括第二导电细粒；处于所述第二细粒层上的第三隧道绝缘膜；处于所述第三隧道绝缘膜上的第三细粒层，所述第三细粒层包括第三导电细粒。所述第二导电细粒的平均颗粒直径大于所述第一导电细粒的平均颗粒直径和所述第三导电细粒的平均颗粒直径。
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公开(公告)号：CN100405613C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200410099718.7
申请日：2004-12-03
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G06F7/588
摘要： 本发明提供一种随机数生成元件，利用了物理现象中的随机噪声，不使用放大电路，也能实现1Mbit/s以上的随机数生成速率。在沟道上设置导电性微粒，所述导电性微粒可与在半导体表面之间通过非常薄的隧道绝缘膜进行电子的充放电，使沟道宽度W变窄，并且增大导电性微粒的面密度Ddot，并且减小沟道与导电性微粒间的隧道电阻。例如，在将膜厚0.8nm的硅氮化膜设为隧道绝缘膜的体基板上的元件的情况下，若按1.7×1012cm-2的面密度形成沟道宽度W＝0.1μm、平均粒径d＝8nm的Si微晶粒群，就能够有0.1%的1MHz的噪声分量。
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公开(公告)号：CN1645626A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410099718.7
申请日：2004-12-03
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G06F7/588
摘要： 提供一种随机数生成元件，利用了物理现象中的随机噪声，不使用放大电路，也能实现1Mbit/s以上的随机数生成速率。在沟道上设置导电性微粒，所述导电性微粒可与在半导体表面之间通过非常薄的隧道绝缘膜进行电子的充放电，使沟道宽度W变窄，并且增大导电性微粒的面密度Ddot，并且减小沟道与导电性微粒间的隧道电阻。例如，在将膜厚0.8nm的硅氮化膜设为隧道绝缘膜的体基板上的元件的情况下，若按1.7×1012cm－2的面密度形成沟道宽度W＝0.1μm、平均粒径d＝8nm的Si微晶粒群，就能够有0.1％的1MHz的噪声分量。
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