发明授权
CN100435319C 集成注入逻辑电路的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 集成注入逻辑电路的制造方法
- 专利标题（英）： Method in the fabrication of an integrated injection logic circuit
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申请号： CN200510119987.X申请日： 2005-09-30
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公开(公告)号： CN100435319C公开(公告)日： 2008-11-19
- 发明人: T·约翰松 , H·诺尔斯特伦
- 申请人： 因芬尼昂技术股份公司
- 申请人地址： 德国慕尼黑
- 专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
- 当前专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
- 当前专利权人地址： 德国慕尼黑
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 张雪梅; 张志醒
- 优先权： 04023839.6 2004.10.06 EP
- 主分类号： H01L21/8222
- IPC分类号： H01L21/8222 ; H01L21/8224 ; H01L21/8226 ; H01L21/8228 ; H01L27/082
摘要：
一种制备I2L电路中的方法，包括(i)在衬底中形成公共的横向双极晶体管的基极和垂直双极多集电极晶体管的发射极，公共的横向晶体管的集电极和垂直多集电极晶体管的基极，以及横向晶体管的发射极(10)；(ii)由第一淀积多晶层形成共集电极/基极的接触区(7’)和横向晶体管的发射极的接触区(7”)；(iii)形成电隔离共集电极/基极的多晶接触区(7’)的隔离结构(8)；以及(iv)由第二淀积多晶层形成共基极/发射极的接触区(11’)和垂直多集电极晶体管的多个集电极(11”)。
公开/授权文献
- CN1790673A 集成注入逻辑电路的制造方法 公开/授权日：2006-06-21
IPC分类:
