Invention Grant
CN100450783C 一次写入多次读取的光学记录介质及其溅射靶
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一次写入多次读取的光学记录介质及其溅射靶
- Patent Title (English): Write-onece-read-many optical recording medium and its sputtering target
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Application No.: CN200580001454.XApplication Date: 2005-08-30
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Publication No.: CN100450783CPublication Date: 2009-01-14
- Inventor: 林嘉隆 , 藤井俊茂 , 笹登 , 藤原将行
- Applicant: 株式会社理光
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 株式会社理光
- Current Assignee: 株式会社理光
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 宋莉; 杨梧
- Priority: 252389/2004 2004.08.31 JP; 273774/2004 2004.09.21 JP; 064328/2005 2005.03.08 JP; 113466/2005 2005.04.11 JP
- International Application: PCT/JP2005/016176 2005.08.30
- International Announcement: WO2006/025558 EN 2006.03.09
- Date entered country: 2006-05-24
- Main IPC: B41M5/26
- IPC: B41M5/26 ; G11B7/243 ; C23C14/34 ; G11B7/26

Abstract:
一种一次写入多次读取光学记录介质,其能够在蓝色激光波长或更短的波长在,即500nm或更小波长下,特别在邻近405nm的波长下表现出优异的记录-再现性能和高密度记录。为此,本发明的一次写入多次读取光学记录介质包括使用由BiOx(0<x<1.5)表示的材料的记录层,其中记录标记包含Bi晶体和/或Bi氧化物晶体。另一种一次写入多次读取光学记录介质包括含有Bi、氧、和M(M表示选自Mg、Al、Cr、Mn、Co、Fe、Cu、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Mo、V、Nb、Y、和Ta的至少一种元素)的记录层,其中记录标记包括含在该记录层中的元素的晶体和该元素的氧化物的晶体。
Public/Granted literature
- CN1906042A 一次写入多次读取的光学记录介质及其溅射靶 Public/Granted day:2007-01-31
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