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公开(公告)号：CN100577436C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200580043011.7
申请日：2005-12-13
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明提供一次写入多次读取的光记录介质，从激光束入射平面起依次包含基底、含铋和铋的氧化物中的任何一种的记录层、上涂层和反射层，其中当将激光施加到该基底的平坦部分上时，上述一次写入多次读取的光记录介质的反射率为35%或更低；或者下述一次写入多次读取的光记录介质，从激光束入射平面起依次包含基底、底涂层、含铋和铋的氧化物中的任何一种的记录层、上涂层和反射层，其中当将激光施加到该基底的平坦部分上时，上述一次写入多次读取的光记录介质的反射率为35%或更低。
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公开(公告)号：CN100450783C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200580001454.X
申请日：2005-08-30
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种一次写入多次读取光学记录介质，其能够在蓝色激光波长或更短的波长在，即500nm或更小波长下，特别在邻近405nm的波长下表现出优异的记录-再现性能和高密度记录。为此，本发明的一次写入多次读取光学记录介质包括使用由BiOx(0＜x＜1.5)表示的材料的记录层，其中记录标记包含Bi晶体和/或Bi氧化物晶体。另一种一次写入多次读取光学记录介质包括含有Bi、氧、和M(M表示选自Mg、Al、Cr、Mn、Co、Fe、Cu、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Mo、V、Nb、Y、和Ta的至少一种元素)的记录层，其中记录标记包括含在该记录层中的元素的晶体和该元素的氧化物的晶体。
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公开(公告)号：CN101191194B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200610130966.2
申请日：2006-11-22
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/085 , C23C14/086 , G11B7/266
Abstract: 提供一种用于形成可记录光学记录介质的记录层的溅射靶，其中该溅射靶包括Bi和Fe，且该溅射靶的堆积密度高于96％，还提供一种利用该溅射靶制造的可记录光学记录介质，该可记录光学记录介质即使在蓝色激光波长范围内也能够进行高密度记录。
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公开(公告)号：CN101037766B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200710085608.9
申请日：2007-03-01
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C23C14/08 , C23C14/0036 , C23C14/3414 , G11B7/243 , G11B7/2585 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/2432 , H01J37/34 , H01J37/3414 , H01J37/3429 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种以含有Bi和B为特征的用于制作追记型光记录介质的溅射靶及其制造方法、使用该溅射靶的追记型高密度光记录介质，以及可以提高制膜速度来提高生产性、制膜时的强度高、并且提高了填充密度的用于制作追记型光记录介质的溅射靶。
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公开(公告)号：CN1906042A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001454.X
申请日：2005-08-30
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种一次写入多次读取光学记录介质，其能够在蓝色激光波长或更短的波长在，即500nm或更小波长下，特别在邻近405nm的波长下表现出优异的记录－再现性能和高密度记录。为此，本发明的一次写入多次读取光学记录介质包括使用由BiOx(0＜x＜1.5)表示的材料的记录层，其中记录标记包含Bi晶体和/或Bi氧化物晶体。另一种一次写入多次读取光学记录介质包括含有Bi、氧、和M(M表示选自Mg、Al、Cr、Mn、Co、Fe、Cu、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Mo、V、Nb、Y、和Ta的至少一种元素)的记录层，其中记录标记包括含在该记录层中的元素的晶体和该元素的氧化物的晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101010741B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200580028771.0
申请日：2005-08-19
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G11B7/246 , G11B7/24 , G11B7/2463 , G11B7/2467 , G11B7/2472 , G11B7/2475 , G11B7/248 , G11B7/249 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B7/2578 , G11B7/26 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715
Abstract: 本发明的目标是提供一种光学记录介质，其中可以解决交叉写和交叉删除的问题，并且能够进行高密度记录，交叉写是指信号错误地记录在相邻的轨道上，交叉删除是指记录在相邻轨道上的信号被错误删除；一种生产光学记录介质的方法，以及一种记录和复制光学介质的方法。为了实现这一目标，该光学介质包括：基板、在基板上或上方吸收光并产生热的光吸收层、记录层和阻止在记录层上记录的记录阻止层，其中该记录阻止层设置在记录层和光吸收层之间，和相邻轨道之间，并且记录标记通过光吸收层的光吸收功能形成在记录层上。
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公开(公告)号：CN101025966A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710005944.8
申请日：2007-02-15
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明提供了一种双层可记录光学记录介质，包括：第一信息层；置于所述第一信息层上的中间层；以及置于所述中间层上的第二信息层，从激光照射侧依次沉积所述第一信息层、中间层和第二信息层，其中所述第一信息层从所述激光照射侧至少包括：包含Bi作为主成分的薄膜、电介质层、反射层和热扩散层，所述第二信息层从所述激光照射侧至少包括：包含Bi作为主成分的薄膜、电介质层和反射层，且其中所述第二信息层的电介质层的厚度(t2)与第一信息层的电介质层的厚度(t1)之比t2/t1的范围为0.7至1.5或者4.5至6.0。
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公开(公告)号：CN101010741A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580028771.0
申请日：2005-08-19
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G11B7/246 , G11B7/24 , G11B7/2463 , G11B7/2467 , G11B7/2472 , G11B7/2475 , G11B7/248 , G11B7/249 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B7/2578 , G11B7/26 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715
Abstract: 本发明的目标是提供一种光学记录介质，其中可以解决交叉写和交叉删除的问题，并且能够进行高密度记录，交叉写是指信号错误地记录在相邻的轨道上，交叉删除是指记录在相邻轨道上的信号被错误删除；一种生产光学记录介质的方法，以及一种记录和复制光学介质的方法。为了实现这一目标，该光学介质包括：基板、在基板上或上方吸收光并产生热的光吸收层、记录层和阻止在记录层上记录的记录阻止层，其中该记录阻止层设置在记录层和光吸收层之间，和相邻轨道之间，并且记录标记通过光吸收层的光吸收功能形成在记录层上。
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公开(公告)号：CN101496105B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200780028420.9
申请日：2007-07-27
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/0062 , G11B7/24079 , G11B7/2437 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/2432
Abstract: 提供一种可记录光学记录介质，其包含：基板、记录层以及反射层，其中该记录层和该反射层形成于该基板上，该记录层由无机材料形成，以及利用通过照射蓝色激光导致的在该记录层的不可逆变化，信息记录在该可记录光学记录介质上。
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公开(公告)号：CN101512642A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780032441.8
申请日：2007-08-30
Applicant: 株式会社理光
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125 , G11B7/24 , G11B7/243
Abstract: 一种记录方法，包含：通过CAV、ZCLV或PCAV在能够使用蓝色激光进行记录和再现的一次写入多次读取光学记录介质上进行记录，其中含有记录脉冲的激光发射图案包含两个或更多个不同水平的记录功率，且由所述激光发射图案和参考时钟标准化的激光发射时间与记录线速度无关地被固定。
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