一次写入多次读取的光记录介质

    公开(公告)号:CN100577436C

    公开(公告)日:2010-01-06

    申请号:CN200580043011.7

    申请日:2005-12-13

    摘要: 本发明提供一次写入多次读取的光记录介质,从激光束入射平面起依次包含基底、含铋和铋的氧化物中的任何一种的记录层、上涂层和反射层,其中当将激光施加到该基底的平坦部分上时,上述一次写入多次读取的光记录介质的反射率为35%或更低;或者下述一次写入多次读取的光记录介质,从激光束入射平面起依次包含基底、底涂层、含铋和铋的氧化物中的任何一种的记录层、上涂层和反射层,其中当将激光施加到该基底的平坦部分上时,上述一次写入多次读取的光记录介质的反射率为35%或更低。

    一次写入多次读取的光学记录介质及其溅射靶

    公开(公告)号:CN100450783C

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:CN200580001454.X

    申请日:2005-08-30

    摘要: 一种一次写入多次读取光学记录介质,其能够在蓝色激光波长或更短的波长在,即500nm或更小波长下,特别在邻近405nm的波长下表现出优异的记录-再现性能和高密度记录。为此,本发明的一次写入多次读取光学记录介质包括使用由BiOx(0<x<1.5)表示的材料的记录层,其中记录标记包含Bi晶体和/或Bi氧化物晶体。另一种一次写入多次读取光学记录介质包括含有Bi、氧、和M(M表示选自Mg、Al、Cr、Mn、Co、Fe、Cu、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Mo、V、Nb、Y、和Ta的至少一种元素)的记录层,其中记录标记包括含在该记录层中的元素的晶体和该元素的氧化物的晶体。

    一次写入多次读取的光学记录介质及其溅射靶

    公开(公告)号:CN1906042A

    公开(公告)日:2007-01-31

    申请号:CN200580001454.X

    申请日:2005-08-30

    摘要: 一种一次写入多次读取光学记录介质,其能够在蓝色激光波长或更短的波长在,即500nm或更小波长下,特别在邻近405nm的波长下表现出优异的记录-再现性能和高密度记录。为此,本发明的一次写入多次读取光学记录介质包括使用由BiOx(0<x<1.5)表示的材料的记录层,其中记录标记包含Bi晶体和/或Bi氧化物晶体。另一种一次写入多次读取光学记录介质包括含有Bi、氧、和M(M表示选自Mg、Al、Cr、Mn、Co、Fe、Cu、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Mo、V、Nb、Y、和Ta的至少一种元素)的记录层,其中记录标记包括含在该记录层中的元素的晶体和该元素的氧化物的晶体。

    一次写入多次读取的光记录介质

    公开(公告)号:CN101080327A

    公开(公告)日:2007-11-28

    申请号:CN200580043011.7

    申请日:2005-12-13

    摘要: 本发明提供一次写入多次读取的光记录介质,从激光束入射平面起依次包含基底、含铋和铋的氧化物中的任何一种的记录层、上涂层和反射层,其中当将激光施加到该基底的平坦部分上时,上述一次写入多次读取的光记录介质的反射率为35%或更低;或者下述一次写入多次读取的光记录介质,从激光束入射平面起依次包含基底、底涂层、含铋和铋的氧化物中的任何一种的记录层、上涂层和反射层,其中当将激光施加到该基底的平坦部分上时,上述一次写入多次读取的光记录介质的反射率为35%或更低。