介绍了采用垂直排列纳米织物制品的机电开关和存储单元及其制备方法。机电器件具有包含主水平表面和在其中形成的沟道的结构。导电迹线位于沟道中；纳米管制品垂直悬置在沟道中，与沟道的垂直壁相隔。制品可发生机电偏向，水平朝向导电迹线。在某些实施方式中，纳米管制品的垂直悬置程度由薄膜工艺决定。在某些实施方式中，纳米管制品夹住时，纳米管制品的某些纳米管之间的多孔空间中有导电材料。在某些实施方式中，纳米管制品由多孔纳米织物形成。在某些实施方式中，纳米管制品可发生机电偏向，与导电迹线接触，所述接触为易失性态或非易失性态，取决于器件结构。在某些实施方式中，垂直取向器件可形成不同形式的三迹线器件。在某些实施方式中，沟道可用于多个独立的器件，或者用于共用一个电极的器件。