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公开(公告)号：CN105931664A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610210929.6
申请日：2016-01-21
申请人： 南泰若股份有限公司
摘要： 公开了一种用于读取和编程1‑R阻变元件阵列的方法，具体地为一种用于读取和编程1‑R阻变元件阵列的一个或多个阻变元件的方法。该方法包括利用测量和存储元件测量阵列中一个或多个所选择的单元的电气响应，然后比较存储的电气响应与阵列中的参考元件的电气响应，以确定一个或多个所选择的单元的电阻状态。该方法包括编程方法，其中可选择的电流限制元件用于分别允许或禁止编程电流流过所选择的和未选择的元件。该方法进一步包括编程方法，其使用阵列线的特定偏置以提供仅通过所选择的单元的足够的编程电流。
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公开(公告)号：CN101542631B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200780035884.2
申请日：2007-08-08
申请人： 南泰若股份有限公司
IPC分类号： G11C11/00
摘要： 提供了一种非易失性阻性存储器。该存储器包括至少一个非易失性存储单元和选择电路。每个存储单元都具有一双端子纳米管开关器件，其具有设置于导电端子之间且与导电端子电连接的纳米管结构制品。选择电路可用于选择该双端子纳米管开关器件进行读写操作。写入控制电路响应于控制信号向所选定存储单元供应写入信号以感生纳米管结构制品的电阻中的变化，该电阻对应于存储单元的信息状态。与选定存储单元连接的电阻读出电路读出纳米管结构制品的电阻并向写入控制电路提供控制信号。读取电路读取存储单元的相应信息状态。还提供了与多个非易失性寄存器堆一起使用的非易失性闩锁电路和非易失性寄存器堆配置电路。
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公开(公告)号：CN100456500C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200480003939.8
申请日：2004-02-12
申请人： 南泰若股份有限公司
摘要： 介绍了采用垂直排列纳米织物制品的机电开关和存储单元及其制备方法。机电器件具有包含主水平表面和在其中形成的沟道的结构。导电迹线位于沟道中；纳米管制品垂直悬置在沟道中，与沟道的垂直壁相隔。制品可发生机电偏向，水平朝向导电迹线。在某些实施方式中，纳米管制品的垂直悬置程度由薄膜工艺决定。在某些实施方式中，纳米管制品夹住时，纳米管制品的某些纳米管之间的多孔空间中有导电材料。在某些实施方式中，纳米管制品由多孔纳米织物形成。在某些实施方式中，纳米管制品可发生机电偏向，与导电迹线接触，所述接触为易失性态或非易失性态，取决于器件结构。在某些实施方式中，垂直取向器件可形成不同形式的三迹线器件。在某些实施方式中，沟道可用于多个独立的器件，或者用于共用一个电极的器件。
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公开(公告)号：CN1720345A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN03825792.0
申请日：2003-01-13
申请人： 南泰若股份有限公司
CPC分类号： D01F9/1272 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , D01F9/1271 , G11C2213/81
摘要： 本发明揭示使用薄金属层以制造碳纳米管薄膜、层、织物、条带、元件及制品的方法。在一基片表面施加碳纳米管生长催化剂，包括一层或更多薄层金属。该基片进行含碳气体的化学气相沉积(160)，以生长碳纳米管的非织造织物。根据界定的图案除去部分非织造织物，产生该制品。碳纳米管的非织造织物可通过在芯片基片表面施加碳纳米管生长催化剂，形成分散的单层催化剂来构成。该基片进行含碳气体的化学气相沉积，以生长接触的碳纳米管的非织造织物，并覆盖该芯片表面，而且所述织物具有基本上均匀的密度。
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公开(公告)号：CN109671452A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811198925.6
申请日：2018-10-15
申请人： 南泰若股份有限公司
发明人： 罗佳
CPC分类号： G11C5/06 , G11C5/147 , G11C11/5614 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0026 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C13/025 , G11C2013/0045 , G11C2013/0054 , G11C2013/0078 , G11C2213/77 , G11C13/0009 , G11C2213/71
摘要： 本发明公开了用于访问阻变元件阵列中的阻变元件以确定阻变元件的阻态的装置和方法。根据本发明的一些方面，所述装置和方法通过各种操作访问阻变元件阵列中的阻变元件。根据本发明的一些方面，所述装置和方法提供针对特定操作定制的电流量。根据本发明的一些方面，所述装置和方法通过调整针对特定操作定制的电流量来补偿阻变元件阵列的电路状态。
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公开(公告)号：CN102280139B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110096051.5
申请日：2006-05-09
申请人： 南泰若股份有限公司
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C13/0002 , G11C2213/16 , G11C2213/19 , G11C2213/35 , G11C2213/79
摘要： 一种存储器阵列包括多个存储器单元，每个单元接收位线、第一字线和第二字线。每个存储器单元包括单元选择电路，该电路允许存储器单元被选择。每个存储器单元还包括双端开关器件，该器件包括与纳米管制品电连通的第一和第二导电端子。存储器阵列还包括存储器操作电路，该电路可操作地耦合于每个单元的位线、第一字线和第二字线。该电路可通过激活适当的线来选择单元，并且可向适当的线施加电刺激来可重新编程地改变第一和第二端子之间纳米管制品的相对电阻。相对电阻对应于存储器单元的信息状态。
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公开(公告)号：CN101541489B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200780035300.1
申请日：2007-08-08
申请人： 南泰若股份有限公司
IPC分类号： H01H9/54
摘要： 在一方面下，包覆纳米管开关包括：(a)包括未对齐的多个纳米管的纳米管元件，该纳米管元件具有顶面、底面及侧面；(b)与该纳米管元件接触的第一及第二导电端子，其中该第一端子置于且实质上覆盖该纳米管元件的整个顶面，且其中该第二端子至少接触该纳米管元件的底面的一部分；及(c)控制电路可向该第一及第二端子施加电刺激。响应于该控制电路向该第一及第二端子施加相应的多个电刺激，该纳米管元件可在多个电子状态之间切换。对每一不同的电子状态而言，该纳米管元件提供该第一及第二端子之间的具有不同电阻的电气路径。
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公开(公告)号：CN101562049B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910126405.9
申请日：2004-08-12
申请人： 南泰若股份有限公司
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C23/00 , G11C2213/16 , G11C2213/17 , H01H1/0094 , H01H1/027 , H01H2001/0005 , H01L27/28 , H01L29/0673 , H01L29/73 , H01L29/78 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , Y10S977/762 , Y10S977/932 , Y10S977/94 , Y10T29/49002
摘要： 本发明是关于具有多个控件的基于纳米管的开关元件以及由其制成的电路。开关元件包括一输入节点、一输出节点、以及具有至少一个导电纳米管的纳米管通道元件。一控制结构相对于该纳米管通道放置，以可控地在输入节点及输出节点之间形成与解除一导电通道。该输出节点被构建与安排为使该通道的形成实质上不受输出节点的电气状态的影响。该控制结构包括置于该纳米管通道元件的相对两侧的一个控制电极和一个释放电极。该控制与释放可用来形成一差动输入，或者如果该装置被适当构建，则以非易失性方式操作该电路。该开关元件可被安排在具有差动输入和/或取决于该构建的非易失性行为的逻辑电路和闩锁中。
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