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公开(公告)号：CN105931664A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610210929.6
申请日：2016-01-21
申请人： 南泰若股份有限公司
摘要： 公开了一种用于读取和编程1‑R阻变元件阵列的方法，具体地为一种用于读取和编程1‑R阻变元件阵列的一个或多个阻变元件的方法。该方法包括利用测量和存储元件测量阵列中一个或多个所选择的单元的电气响应，然后比较存储的电气响应与阵列中的参考元件的电气响应，以确定一个或多个所选择的单元的电阻状态。该方法包括编程方法，其中可选择的电流限制元件用于分别允许或禁止编程电流流过所选择的和未选择的元件。该方法进一步包括编程方法，其使用阵列线的特定偏置以提供仅通过所选择的单元的足够的编程电流。
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公开(公告)号：CN1556996B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN02818506.4
申请日：2002-07-25
申请人： 南泰若股份有限公司
CPC分类号： G11C23/00 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/16 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01H1/0094 , H01L21/76838 , H01L27/10 , H01L27/1203 , H01L29/413 , H01L51/0048 , H01L51/444 , H01L2221/1094 , Y10S977/75 , Y10S977/778 , Y10S977/843 , Y10S977/857 , Y10S977/888
摘要： 揭示了纳米管膜和制品及其制造方法。一种导电制品(1800)包括纳米管段的聚集，其中纳米管段(1802)和其它纳米管段(101)相互接触，形成沿着制品的许多导电通路。这些纳米管段(1802)可以是单壁的碳纳米管，也可以是多壁的碳纳米管。不同的段可以有不同的长度，同时其长度还可以短于制品的长度。如此形成的制品可沉积在基片上，并可在所述制品内部形成纳米管的导电网络。
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公开(公告)号：CN101015025B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200580022974.9
申请日：2005-05-26
申请人： 南泰若股份有限公司
CPC分类号： B82Y10/00 , H01C17/0652 , H01L51/0003 , H01L51/0025 , H01L51/0048 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/753 , Y10T428/29 , Y10T428/2982 , Y10T428/30
摘要： 本发明描述了某些可旋涂液体和施涂技术，它们可用于形成具有受控性质的纳米管膜或织物。用于电子制造工艺的含纳米管的可旋涂液体包括含有多个纳米管的溶剂。纳米管的浓度大于1毫克/升。对纳米管进行预处理，使金属和微粒杂质的含量降低到预先选定的水平，对该预先选定的金属或微粒杂质的水平加以选择，以与电子制造工艺相容。也对溶剂加以选择，以与电子制造工艺相容。
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公开(公告)号：CN101542631B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200780035884.2
申请日：2007-08-08
申请人： 南泰若股份有限公司
IPC分类号： G11C11/00
摘要： 提供了一种非易失性阻性存储器。该存储器包括至少一个非易失性存储单元和选择电路。每个存储单元都具有一双端子纳米管开关器件，其具有设置于导电端子之间且与导电端子电连接的纳米管结构制品。选择电路可用于选择该双端子纳米管开关器件进行读写操作。写入控制电路响应于控制信号向所选定存储单元供应写入信号以感生纳米管结构制品的电阻中的变化，该电阻对应于存储单元的信息状态。与选定存储单元连接的电阻读出电路读出纳米管结构制品的电阻并向写入控制电路提供控制信号。读取电路读取存储单元的相应信息状态。还提供了与多个非易失性寄存器堆一起使用的非易失性闩锁电路和非易失性寄存器堆配置电路。
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公开(公告)号：CN100456500C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200480003939.8
申请日：2004-02-12
申请人： 南泰若股份有限公司
摘要： 介绍了采用垂直排列纳米织物制品的机电开关和存储单元及其制备方法。机电器件具有包含主水平表面和在其中形成的沟道的结构。导电迹线位于沟道中；纳米管制品垂直悬置在沟道中，与沟道的垂直壁相隔。制品可发生机电偏向，水平朝向导电迹线。在某些实施方式中，纳米管制品的垂直悬置程度由薄膜工艺决定。在某些实施方式中，纳米管制品夹住时，纳米管制品的某些纳米管之间的多孔空间中有导电材料。在某些实施方式中，纳米管制品由多孔纳米织物形成。在某些实施方式中，纳米管制品可发生机电偏向，与导电迹线接触，所述接触为易失性态或非易失性态，取决于器件结构。在某些实施方式中，垂直取向器件可形成不同形式的三迹线器件。在某些实施方式中，沟道可用于多个独立的器件，或者用于共用一个电极的器件。
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公开(公告)号：CN1720345A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN03825792.0
申请日：2003-01-13
申请人： 南泰若股份有限公司
CPC分类号： D01F9/1272 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , D01F9/1271 , G11C2213/81
摘要： 本发明揭示使用薄金属层以制造碳纳米管薄膜、层、织物、条带、元件及制品的方法。在一基片表面施加碳纳米管生长催化剂，包括一层或更多薄层金属。该基片进行含碳气体的化学气相沉积(160)，以生长碳纳米管的非织造织物。根据界定的图案除去部分非织造织物，产生该制品。碳纳米管的非织造织物可通过在芯片基片表面施加碳纳米管生长催化剂，形成分散的单层催化剂来构成。该基片进行含碳气体的化学气相沉积，以生长接触的碳纳米管的非织造织物，并覆盖该芯片表面，而且所述织物具有基本上均匀的密度。
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公开(公告)号：CN105931664B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201610210929.6
申请日：2016-01-21
申请人： 南泰若股份有限公司
摘要： 公开了一种用于读取和编程1‑R阻变元件阵列的方法，具体地为一种用于读取和编程1‑R阻变元件阵列的一个或多个阻变元件的方法。该方法包括利用测量和存储元件测量阵列中一个或多个所选择的单元的电气响应，然后比较存储的电气响应与阵列中的参考元件的电气响应，以确定一个或多个所选择的单元的电阻状态。该方法包括编程方法，其中可选择的电流限制元件用于分别允许或禁止编程电流流过所选择的和未选择的元件。该方法进一步包括编程方法，其使用阵列线的特定偏置以提供仅通过所选择的单元的足够的编程电流。
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公开(公告)号：CN102176456B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110051659.6
申请日：2006-05-09
申请人： 南泰若股份有限公司
IPC分类号： H01L27/112 , H01L21/8239 , G11C13/00 , G11C17/16
CPC分类号： H01L27/112 , B82Y10/00 , G11C13/0002 , G11C13/025 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C2213/19 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/1052 , Y10S977/943
摘要： 双端开关器件包括第一和第二导电端子以及纳米管制品。所述制品具有至少一个纳米管，并且与第一和第二端子的每个的至少一部分重叠。该器件还包括与第一和第二端子中至少一个电连通的刺激电路。该电流能够向第一和第二端子中至少一个施加第一和第二电刺激以将第一和第二端子之间的器件相对电阻在相对较高电阻与相对较低电阻之间变化。第一和第二端子之间的相对较高电阻对应于该器件的第一状态，第一和第二端子之间的相对较低电阻对应于该器件的第二状态。
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