本发明是有关于一种制作半导体元件的方法，包含形成第一牺牲层于欲蚀刻的第一层上，其中第一牺牲层具有复数个贯穿第一牺牲层的孔洞，且每一孔洞使第一层对应孔洞的部分曝露于外；形成第一光阻层于第一牺牲层上，且第一光阻层填充贯穿第一牺牲层的孔洞；形成复数个开口于该第一光阻层上，每一开口叠于孔洞上，其中每一孔洞的截面积小于每一开口的截面积；以及藉由第一牺牲层上的孔洞与第一光阻层上的开口蚀刻第一层，更包含曝露第一层于蚀刻溶剂中。本发明制作半导体元件的方法可以降低孔洞间距的比例，进而能够增加所形成孔洞的密度。