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    形成孔洞于半导体晶圆的方法
    1.
    发明授权
    形成孔洞于半导体晶圆的方法 有权

    公开(公告)号：CN1744277B

    公开(公告)日：2012-05-16

    申请号：CN200510055444.6

    申请日：2005-03-17

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 何邦庆

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/7681

    摘要： 本发明是有关于一种形成孔洞于半导体晶圆的方法。利用虚拟特征形成孔洞于半导体晶圆。该方法包括形成一硬罩幕层于一介电层上，硬罩幕层包括一实体部分与一第一开口，并提供一图案化材料层于硬罩幕层上，图案化材料层包括第二开口与第三开口。图案化材料层的第二开口对准硬罩幕层的第一开口，图案化材料层的第三开口对准硬罩幕层的实体部分。孔洞是利用图案化材料层的第二开口，并且硬罩幕层的第一开口形成于介电层中。本发明提供一种制造一内连线的方法，以及一种光罩，使用于一微影系统，用以制造一集成电路元件。该光罩具有特征与复数个虚拟特征(dummyfeature)的基材，其中虚拟特征是位于特征之间。虚拟特征可用以修改特征的光学特性。

    半导体元件及其制程方法
    2.
    发明公开
    半导体元件及其制程方法 有权

    公开(公告)号：CN1815371A

    公开(公告)日：2006-08-09

    申请号：CN200510123786.7

    申请日：2005-11-22

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 何邦庆 ,  施仁杰

    IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/2041 ,  G03F7/70341

    摘要： 本发明是有关于一种半导体元件及其制程方法，该半导体元件至少包括：一基材；以及一位于基材之上的顶层，该顶层用于一浸润式微影制程中，且有一如小滴流体的混合物，存在于浸润式微影制程中的该混合物有一介于40度及80度间的接触角。该半导体元件的制造方法是在晶圆上施行浸润式微影制程的方法，包括将半导体晶圆置于一透镜之下，及将一流体置于此半导体晶圆的上表面与透镜之间。提供一添加物于在此上表面之上以使任何在此半导体晶圆上表面之上的小滴流体形成一介于40度至80度间的接触角。

    半导体元件及其制程方法
    3.
    发明授权
    半导体元件及其制程方法 有权

    公开(公告)号：CN1815371B

    公开(公告)日：2010-09-01

    申请号：CN200510123786.7

    申请日：2005-11-22

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 何邦庆 ,  施仁杰

    IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/2041 ,  G03F7/70341

    摘要： 本发明是有关于一种半导体元件及其制程方法，该半导体元件至少包括：一基材；以及一位于基材之上的顶层，该顶层用于一浸润式微影制程中，且有一如小滴流体的混合物，存在于浸润式微影制程中的该混合物有一介于40度及80度间的接触角。该半导体元件的制造方法是在晶圆上施行浸润式微影制程的方法，包括将半导体晶圆置于一透镜之下，及将一流体置于此半导体晶圆的上表面与透镜之间。提供一添加物于在此上表面之上以使任何在此半导体晶圆上表面之上的小滴流体形成一介于40度至80度间的接触角。

    一种消除旁瓣图案的集成电路制造方法
    4.
    发明授权
    一种消除旁瓣图案的集成电路制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1261975C

    公开(公告)日：2006-06-28

    申请号：CN02147349.8

    申请日：2002-10-18

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 何邦庆 ,  陈建宏

    IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/70 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32

    摘要： 一种消除旁瓣图案的集成电路制造方法，是在原先以定义电路开口图案的第一光阻层上，形成由水溶性负型光阻所构成之第二光阻层。接着，利用掩模对第二光阻层进行曝光，并利用去离子水进行显影，而暴露出需要的电路开口图案，并选择性保留位于不预期之旁瓣开口图案上之部分第二光阻层而达到修补的目的。其中，上述之水溶性负型光阻是由聚合物、光活性化合物、抑制剂、交联剂、以及溶剂所构成。

    集成电路制造方法
    6.
    发明公开
    集成电路制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1492479A

    公开(公告)日：2004-04-28

    申请号：CN02147386.2

    申请日：2002-10-21

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 何邦庆 ,  陈建宏

    IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/82 ,  G03F7/00

    摘要： 一种集成电路制造方法，是应用水溶性负型光阻在具有填充洞的光罩的光刻制造过程中，利用水溶性负型光阻与原先光阻中酸成分的反应，而在两者的接口间形成固化薄膜。并且，在光刻制造过程后暴露出接触洞的开口但保留填充洞中的水溶性负型光阻材料，但上述的薄膜并不被光刻制造过程所去除，如此可缩小接触洞开口的宽度。上述的水溶性负型光阻成分包含：聚合物、光活性化合物、抑制剂、交联剂、以及溶剂。

    交替式相移光罩及其解除光罩以及接触洞的制造方法
    7.
    发明公开
    交替式相移光罩及其解除光罩以及接触洞的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1416015A

    公开(公告)日：2003-05-07

    申请号：CN01134366.4

    申请日：2001-11-01

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 林本坚 ,  游信胜 ,  何邦庆

    IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/16

    摘要： 本发明揭露一种交替式相移光罩(AlternatingPhase－Shifting Mask；AltPSM)及其相对应的解除光罩(Unpacking Mask)，以及利用构装的交替式相移光罩与解除光罩，以构装及解除(Packing And Unpacking；PAU)的方式来制造接触洞(Contact Hole)。由交替式相移光罩的使用，可增加聚焦深度(Depth Of Focus；DOF)，并降低光罩误差系数(Mask Error Factor；MEF)，而构装及解除法亦可缩小洞与洞的分离率(Hole－to－separation Ratio)，进而达到提高聚焦深度及降低光罩误差系数的目的。