Invention Grant
CN100477240C 半导体器件以及制造该器件的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体器件以及制造该器件的方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and method for making same
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Application No.: CN200410083451.2Application Date: 2004-09-30
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Publication No.: CN100477240CPublication Date: 2009-04-08
- Inventor: 丸山純矢 , 高山徹 , 森末将文 , 渡邊了介 , 杉山栄二 , 岡崎奨 , 西和夫 , 小山潤 , 長多剛 , 松嵜隆德
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 李玲
- Priority: 2003-347646 2003.10.06 JP
- Main IPC: H01L27/14
- IPC: H01L27/14 ; H01L21/82

Abstract:
本发明的目的是减小元件所占据的面积并将多个元件集成在一个有限的面积中,使得传感器元件能够具有较高的输出和较小的尺寸。在本发明中,通过对使用非晶半导体薄膜(典型的是,非晶硅薄膜)的传感器元件的单元化,以及对包括在能够经受诸如焊料回流处理工艺之类安装工艺中的温度的塑料基片上采用具有晶体结构的半导体薄膜(典型的是,多晶硅薄膜)作为有源层的TFT的输出放大电路的单元化,就能够获得较高的输出和小型化。根据本发明,能够获得可抵御弯曲应力的传感器元件。
Public/Granted literature
- CN1612351A 半导体器件以及制造该器件的方法 Public/Granted day:2005-05-04
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IPC分类: