一种NAND快闪存储单元阵列，其具有在位线扩散区和共源扩散区之间成行设置的堆叠成对的控制栅和电荷存储栅，选择栅位于每对堆叠的栅的两侧。每个堆叠对中的栅相互自对准，并且所述电荷存储栅是氮化物或氮化物和氧化物的组合。通过从所述硅衬底到电荷存储栅的热电子注入以在电荷存储栅中建立负电荷来完成编程。通过从电荷存储栅到硅衬底的沟道隧穿或者从硅衬底到电荷存储栅的热空穴注入完成擦除。所述阵列被偏置使得所有存储单元可以被同时擦除，而编程是可位选的。