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公开(公告)号：CN103024280B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201210585950.6
申请日：2012-12-28
申请人： 昆山丘钛微电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种摄像头模组OTP烧录装置，以使用方向为基准，包括箱体、进出仓机构和若干个测试烧录主板，对应每个测试烧录主板，箱体上设有进出仓口，进出仓机构包括竖板和底板，底板能够相对箱体底板滑动，使竖板遮蔽和开启进出仓口，底板上另设有支撑台，待烧录摄像头模组设于支撑台上方，且与测试烧录主板电连接，对应每个待烧录摄像头模组，箱体顶板上设有开孔，开孔内设有杂光过滤镜，杂光过滤镜上方设有DNP光源，本发明摄像头模组OTP烧录无需在暗室里进行，能够大大改善摄像头模组OTP烧录的作业环境，提高摄像头模组OTP烧录的效率和质量，节省时间、人力和硬件成本，进而大大降低生产成本。
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公开(公告)号：CN103875059B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280042212.5
申请日：2012-09-02
申请人： 杭州海存信息技术有限公司
发明人： 张国飙
CPC分类号： H01L27/1128 , G11C17/10 , H01L25/0657 , H01L27/11226 , H01L27/11253 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种三维印录存储器，其为一种改进的三维掩膜编程只读存储器，并采用了三种手段来降低数据录入成本：1）使用共享型数据掩膜版（18A）来降低分摊到每个海量出版物上的掩膜版成本；2）采用压印法来录入数据，压印法使用的数据模板比数据掩膜版（18A）便宜很多；3）通过采用偏置印录法来减少数据掩膜版（18A）的数目。本发明还提出一种三维可写印录存储器。
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公开(公告)号：CN102870162B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201180021771.3
申请日：2011-04-15
申请人： 飞思卡尔半导体公司
摘要： 提供了一种包括一次可编程（OTP）存储器（16）的存储器系统（10）。所述存储器系统（10）还包括写使能验证电路（14），其包括和在节点（34）耦接的非对称反相器级（30）对称反相器级（32）。所述写使能验证电路（14）被配置来接收写使能信号。当所述写使能信号从第一电压电平变为第二电压电平时，所述节点（34）处的电压以第一速率变化，并且其中当所述写使能信号从所述第二电压电平变为所述第一电压电平时，所述节点（34）处的电压以高于所述第一速率的第二速率变化。所述写使能验证电路（14）还被配置来产生已验证的写使能信号以用于使能所述OTP存储器（16）的编程。
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公开(公告)号：CN104464815A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410720337.X
申请日：2014-12-01
申请人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
发明人： 张春元
IPC分类号： G11C17/00
摘要： 本发明公开了一种快速准确的OTP编程控制方法，该方法包括：获取待编程的OTP编程内容以及OTP原内容，并存储；逐一比对所述待编程的OTP编程内容以及OTP原内容，对于所述OTP原内容中未编程但所述待编程的OTP编程内容中需编程的位置进行标记，获得待编程的地址与对应的待编程内容；当接收到外部编程指令时，跳过未被标记的地址，仅对标记的待编程地址处对应的待编程内容进行编程处理。本发明公开的方法可以对OTP的单元选择性实现编程，并可以对已编程单元进行保护，实现OTP块的快速准确编程。
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公开(公告)号：CN103875059A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280042212.5
申请日：2012-09-02
申请人： 杭州海存信息技术有限公司
发明人： 张国飙
CPC分类号： H01L27/1128 , G11C17/10 , H01L25/0657 , H01L27/11226 , H01L27/11253 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种三维印录存储器，其为一种改进的三维掩膜编程只读存储器，并采用了三种手段来降低数据录入成本：1）使用共享型数据掩膜版（18A）来降低分摊到每个海量出版物上的掩膜版成本；2）采用压印法来录入数据，压印法使用的数据模板比数据掩膜版（18A）便宜很多；3）通过采用偏置印录法来减少数据掩膜版（18A）的数目。本发明还提出一种三维可写印录存储器。
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公开(公告)号：CN101361139B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200680028631.8
申请日：2006-07-28
申请人： 飞思卡尔半导体公司
IPC分类号： G11C17/00
CPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18 , H01L27/112
摘要： 一种一次可编程(OTP)存储器(10)具有两比特单元(14)以增加密度。每一单元(14)具有两个选择晶体管(20、24)以及串联在这两个选择晶体管之间的可编程晶体管(22)。所述可编程晶体管(22)具有两个独立的存储位置(22)。一个位于栅极(48)和第一源极/漏极区域(66)之间而第二个位于栅极(48)和第二源极/漏极区域(68)之间。所述存储位置(72)是栅极介质(60)的一部分，在那里源极或漏极(66、68)与栅极(48)交迭，以及通过有选择地使编程电流(44)经过它们而将其独立编程。编程电流(44)具有充分的幅度和持续时间来永久地将要被编程的存储位置(72)的阻抗减少超过3个数量级。限制编程电流(44)的幅度以避免损害其他电路元件，并优选地至少部分通过施加负电压到可编程晶体管(22)的栅极(48)而引起所述编程电流(44)。
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公开(公告)号：CN101958143A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910088802.1
申请日：2009-07-16
申请人： 北京中电华大电子设计有限责任公司
摘要： 只读存储器(ROM)的读取会受到位线间耦合串扰的干扰。这种不良耦合影响会随着工艺尺寸的减小，在深亚微米工艺(DSM)设计中变得越来越严重，尤其在低功耗，版图位线较长或采用Contact或VIA层进行码点编程的设计中会造成非常高的误码率。本发明采用全位线钳位结构和时分位线钳位屏蔽结构并配合相关时序彻底地消除了会造成误码的位线间耦合串扰，提高了电路的可靠性。采用本发明的低功耗只读存储器适用于任何需要低功耗、大容量只读数据存储、或奇异存储阵列结构的应用中。
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公开(公告)号：CN101937701A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010100865.7
申请日：2010-01-26
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 文眞永
CPC分类号： G11C11/4094 , G11C7/02 , G11C7/08 , G11C7/12 , G11C11/4091
摘要： 本发明公开了一种防止与反相器对中的偏移相关联的故障的感测放大器。该感测放大器包括反相器对和控制器。反相器对的任一个输入端电连接到位线，而另一个输入端电连接到/位线。控制器配置为响应于第一控制信号，将位线和/位线预充电到与反相器对的偏移相应的电平。控制器响应于第二控制信号，通过将反相器对的输出端连接到位线对，使用反相器对来感测位线和/位线的电压差。
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公开(公告)号：CN101540318B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200810185313.3
申请日：2002-11-17
申请人： 张国飙
发明人： 张国飙
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/112 , H01L27/115 , G11C17/00 , G11C17/10
摘要： 本发明提出一种采用微晶半导体材料的三维只读存储器(3D-ROM)。其3D-ROM膜含有微晶半导体材料，微晶半导体材料能降低3D-ROM膜和电极之间的接触电阻，从而缩短3D-ROM的首访时间。
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公开(公告)号：CN101673224A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200810149525.6
申请日：2008-09-10
申请人： 盛群半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开一种用于烧录型微控制器的选项保护电路，其包括：一选项下载单元；一选项预存单元；以及一错误检查与数据回复产生单元。借此令一微控制器在工作时能够确保每个选项的正确性，使用者可利用本发明的选项保护电路，实现选项的错误检错以及回复机制的效果。同时通过上述特性，解决微控制器因外在噪声干扰造成的选项错乱问题，进而增加微控制器的性能以及噪声容忍度。
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