发明授权
CN100502007C 非易失性存储器
失效 - 权利终止
- 专利标题: 非易失性存储器
- 专利标题(英): Non-volatile memory
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申请号: CN02823913.X申请日: 2002-12-16
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公开(公告)号: CN100502007C公开(公告)日: 2009-06-17
- 发明人: 山本伸一 , 小川一文 , 美浓规央
- 申请人: 松下电器产业株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人: 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 陈建全
- 优先权: 384307/2001 2001.12.18 JP; 039332/2002 2002.02.15 JP; 278076/2002 2002.09.24 JP
- 国际申请: PCT/JP2002/013115 2002.12.16
- 国际公布: WO2003/052827 JA 2003.06.26
- 进入国家日期: 2004-05-31
- 主分类号: H01L27/10
- IPC分类号: H01L27/10 ; H01L51/00
摘要:
本发明提供非易失性存储器,其在基板上至少含有第一电极(71)、与第一电极(71)隔离的第二电极(72)、将第一电极(71)和第二电极(72)电连接的导电性有机薄膜(73)。导电性有机薄膜(73)具有显示第一电阻值的第一电状态和显示第二电阻值的第二电状态,从第一电状态转变到第二电状态的第一阈值电压与从第二电状态转变到第一电状态的第二阈值电压不同,第一电状态或第二电状态保持在第一阈值电压和第二阈值电压的范围内。导电性有机薄膜(73)和基材表面以共价键结合。在导电性有机薄膜(73)上可以连接二极管(74)。这样,便提供了能够利用导电性有机薄膜(73)的电阻值的变化进行记录的写入和读出,而且容易集成化的非易失性存储器。
公开/授权文献
- CN1596475A 非易失性存储器 公开/授权日:2005-03-16