非易失性存储器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100502007C

    公开(公告)日:2009-06-17

    申请号:CN02823913.X

    申请日:2002-12-16

    IPC分类号: H01L27/10 H01L51/00

    摘要: 本发明提供非易失性存储器,其在基板上至少含有第一电极(71)、与第一电极(71)隔离的第二电极(72)、将第一电极(71)和第二电极(72)电连接的导电性有机薄膜(73)。导电性有机薄膜(73)具有显示第一电阻值的第一电状态和显示第二电阻值的第二电状态,从第一电状态转变到第二电状态的第一阈值电压与从第二电状态转变到第一电状态的第二阈值电压不同,第一电状态或第二电状态保持在第一阈值电压和第二阈值电压的范围内。导电性有机薄膜(73)和基材表面以共价键结合。在导电性有机薄膜(73)上可以连接二极管(74)。这样,便提供了能够利用导电性有机薄膜(73)的电阻值的变化进行记录的写入和读出,而且容易集成化的非易失性存储器。

    等离子显示屏
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1902724A

    公开(公告)日:2007-01-24

    申请号:CN200480040188.7

    申请日:2004-11-10

    IPC分类号: H01J11/02

    摘要: 本发明的目的在于,在PDP中在确保保护膜表面的壁电荷保持性能的同时抑制驱动时的放电偏差,并且降低放电开始电压以实现功耗的减少。因此,本发明的PDP的前面面板形成为,在形成于玻璃基板的一个面上的带状显示电极的表面上,分散地形成触媒层,在该触媒层上林立着由石墨构成的针状结晶体。而且,形成电介质膜和保护膜,将该针状结晶体相互之间填满。针状结晶体和电介质膜的材料及保护膜的材料之间形成相位分离结构物。

    等离子显示屏
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100592454C

    公开(公告)日:2010-02-24

    申请号:CN200480040188.7

    申请日:2004-11-10

    IPC分类号: H01J11/02

    摘要: 本发明提供一种等离子显示屏,其目的在于,在PDP中在确保保护膜表面的壁电荷保持性能的同时抑制驱动时的放电偏差,并且降低放电开始电压以实现功耗的减少。因此,本发明的PDP的前面面板形成为,在形成于玻璃基板的一个面上的带状显示电极的表面上,分散地形成触媒层,在该触媒层上林立着由石墨构成的针状结晶体。而且,形成电介质膜和保护膜,将该针状结晶体相互之间填满。针状结晶体和电介质膜的材料及保护膜的材料之间形成相分离结构物。

    气体放电显示面板
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100583360C

    公开(公告)日:2010-01-20

    申请号:CN200580018795.8

    申请日:2005-04-07

    IPC分类号: H01J11/02

    摘要: 本发明的第一目的是提供一种气体放电显示面板,其成本较低且能维持壁电荷的保持力,同时能将放电滞后控制在对图像显示最合适的区域内,进而,通过降低放电开始电压,可以发挥良好的显示性能。此外,本发明的第二目的是提供一种PDP和气体放电显示面板的制造方法,其中,PDP使2次电子发射系数γ比以往进一步提高,降低了放电开始电压以扩大驱动容限,从而提高显示质量和可靠性;气体放电显示面板的制造方法缩短密封排气工序时的排气时间以降低制造成本,并且降低驱动电路的成本。因此,在本发明中,通过以MgO为主要成分,进而,包含添加量范围为20质量ppm以上且5000质量ppm以下的Si和添加量范围为300质量ppm以上且10000质量ppm以下的H来构成保护层。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1618130A

    公开(公告)日:2005-05-18

    申请号:CN02827883.6

    申请日:2002-02-07

    摘要: 本发明提供一种具有薄膜晶体管的半导体装置,该晶体管又具有在绝缘基板(100)上形成的多晶半导体薄膜(2)。该半导体装置,在半导体薄膜(100)内具有沟道区域(80)、分别位于沟道区域(80)两侧的源极区域(91)和漏极区域(92)。沟道区域(90)含有第一导电型的杂质和与所述第一导电型相反的导电型的第二导电型的杂质二者,它由第一导电型和所述第二导电型抵消的第一层(2a)和第一导电型或第二导电型中任何一种占支配地位的第二层(2b)层叠构成,经绝缘膜(3)与第一层(2a)相对地形成栅极电极(4)。源极区域(91)和漏极区域(92)由与在第二层(2b)中占支配地位的导电型相反的导电型构成。采用这种结构,可降低断开电流,同时容易控制阈值电压。