发明授权

隧道磁阻器件
摘要:
一种隧道磁阻(TMR)器件,其具有包含一个下端电极层、一个钉扎层、一个隧道势垒层、一个自由层和一个上端电极层的结构,其可在基底上连续地形成。该隧道势垒层基本上具有化学计量组成。该隧道势垒层可为由ALD法形成的氧化铝薄膜。
公开/授权文献
0/0