一种电熔丝起始于在第一绝缘层上具有单晶硅层的单晶绝缘体上硅(SOI)结构。将单晶硅层构图为带。在构图之前或之后，用一种或多种杂质掺杂单晶硅层。随后硅化单晶硅层的至少上部以形成硅化带。在一个实施例中，硅化整个单晶硅带以形成硅化物带。在硅化物带上形成第二绝缘体，以使硅化带与周围结构隔离。在形成第二绝缘体之前或之后，该方法形成穿过第二绝缘体到硅化带末端的电接触。通过利用单晶硅带，如二极管、导体、绝缘体、晶体管等的任何形式的半导体可以形成熔丝结构的下面部分。上面的硅化物材料允许熔丝在其未编程状态下用作导体。然而，与在编程状态下仅包括绝缘体的金属或多晶硅基电熔丝相反，当本发明的电熔丝被编程时(并且硅化物被移动或断开)，下面的半导体结构以有源半导体器件工作。