发明授权
- 专利标题： 防止对磁阻存储器元件错误编程的方法和器件
- 专利标题（英）： Method and device for preventing erroneous programming of a magnetoresistive memory element
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申请号： CN200480034614.6申请日： 2004-11-09
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公开(公告)号： CN100547676C公开(公告)日： 2009-10-07
- 发明人: 汉斯·M·B·贝维
- 申请人： NXP股份有限公司
- 申请人地址： 荷兰艾恩德霍芬
- 专利权人： NXP股份有限公司
- 当前专利权人： NXP股份有限公司
- 当前专利权人地址： 荷兰艾恩德霍芬
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 陈源; 张天舒
- 优先权： 03104339.1 2003.11.24 EP
- 国际申请： PCT/IB2004/052357 2004.11.09
- 国际公布： WO2005/050658 EN 2005.06.02
- 进入国家日期： 2006-05-23
- 主分类号： G11C11/15
- IPC分类号： G11C11/15
摘要：
本发明提供一种磁阻存储器元件阵列，它包括用于测量所述磁阻存储器元件附近外部磁场的磁场传感器单元，以及测量到的外部磁场超过门限值时，临时禁止任何编程操作的装置。还提供相应的方法。
公开/授权文献
- CN1886799A 防止对磁阻存储器元件错误编程的方法和器件 公开/授权日：2006-12-27
