公开(公告)号：CN100547676C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200480034614.6

申请日：2004-11-09

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 汉斯·M·B·贝维

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： G11C11/15

摘要： 本发明提供一种磁阻存储器元件阵列，它包括用于测量所述磁阻存储器元件附近外部磁场的磁场传感器单元，以及测量到的外部磁场超过门限值时，临时禁止任何编程操作的装置。还提供相应的方法。

公开(公告)号：CN1886801B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200480034619.9

申请日：2004-11-17

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 汉斯·M·B·贝维

IPC分类号： G11C11/16

CPC分类号： G11C11/16

摘要： 本发明提供一种磁阻存储元件(10)的阵列(20)。阵列(20)包括：用于施加电流或电压的装置，所述电流或电压用于在被选磁阻存储元件(10s)处产生编程磁场；用于测量被选磁阻存储元件(10s)附近的外部磁场的磁场传感器单元(50)；以及用于调整电流或电压的装置(52)，所述电流或电压用于在编程操作期间局部地补偿所测量到的外部磁场。本发明还提供一种相应的方法。

公开(公告)号：CN101611327A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880004879.X

申请日：2008-02-13

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 汉斯·M·B·贝维 ,  特尼斯·J·伊金克 ,  哈里斯·迪里克 ,  约翰内斯·P·M·范拉默伦

IPC分类号： G01R33/09

CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/096

摘要： 补偿线圈功能和反位线圈功能被组合到单个组合线圈中，该单个组合线圈相对于磁阻传感器元件的长度方向成夹角α。夹角α实质上不同于0°和90°。该结构能够减小平面组合线圈的电流线路的宽度，从而减小用于传感器元件切换的有效阈值，该结构还能够包括简化2D传感器设计的功能部件。

公开(公告)号：CN1886804B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200480034616.5

申请日：2004-11-09

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 汉斯·M·B·贝维

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C11/15

CPC分类号： G11C11/15

摘要： 本发明提供一种磁阻存储器元件(10)阵列(20)，它配备了至少一个数据保持指示器器件(50)。该至少一个数据保持指示器器件(50)包括第一磁性元件(51)和第二磁性元件(52)，这两个磁性元件中每个都有预置的磁化方向，所述第一和第二磁性元件(51，52)的预置磁化方向互不相同。所述第一和第二磁性元件(51，52)适合于将它们的磁化方向对准超过检测门限值的外加磁场的磁力线。根据本发明，选择至少一个数据保持指示器器件(50)中的参数，从而设置要检测的外加磁场的检测门限值。该至少一个数据保持指示器器件(50)具有指示所述阵列(20)的磁阻存储器元件(10)暴露在所述外加磁场中的状态或输出。

公开(公告)号：CN100547677C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200480034657.4

申请日：2004-11-09

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 汉斯·M·B·贝维

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： G11C11/15

摘要： 本发明提供一种磁阻存储器器件(30)，包括磁阻存储器元件(10)阵列(20)和至少一个磁场传感器元件(32)，其中磁阻存储器器件(30)包括部分或非均匀屏蔽装置(40，41)，以至于与所述至少一个磁场传感器元件(32)相比，有差别地将所述磁阻存储器元件(10)阵列(20)从外部磁场屏蔽开。“有差别地”表示有5%的最小屏蔽差别，优选是10%的最小屏蔽差别。本发明还提供相应的屏蔽方法。