发明授权
CN100555582C 用于形成氧化物膜的方法和设备
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于形成氧化物膜的方法和设备
- 专利标题(英): Method and equipment for forming oxide film
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申请号: CN200580027119.7申请日: 2005-08-01
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公开(公告)号: CN100555582C公开(公告)日: 2009-10-28
- 发明人: 西口哲也 , 一村信吾 , 野中秀彦 , 森川良树 , 野寄刚示 , 花仓满
- 申请人: 株式会社明电舍 , 独立行政法人产业技术综合研究所
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 株式会社明电舍,独立行政法人产业技术综合研究所
- 当前专利权人: 株式会社明电舍,独立行政法人产业技术综合研究所
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 任宗华
- 优先权: 234754/2004 2004.08.11 JP; 326760/2004 2004.11.10 JP
- 国际申请: PCT/JP2005/014054 2005.08.01
- 国际公布: WO2006/016496 JA 2006.02.16
- 进入国家日期: 2007-02-09
- 主分类号: H01L21/316
- IPC分类号: H01L21/316 ; C23C16/40
摘要:
一种氧化物膜形成设备,其包括反应器10,其中装有用于容纳基材100的加热器单元14;管道11,其上装有用于将含有机硅或有机金属的原料气体引入到反应器内的原料气体引入阀V1;管道12,其上装有用于将含臭氧气体引入到反应器10同的含臭氧气体引入阀V2;和管道13,其上装有用于将气体从反应器10中排出的排气阀13。当原料气体引入阀V1、含臭氧气体引入阀V2和排气阀V3进行打开-关闭操作,以交替地将原料气体和含臭氧气体供应到反应器10中时,含臭氧气体引入阀V2促使含臭氧气体的臭氧浓度下降到0.1体积%到100体积%范围内,并且加热器单元将基材的温度调节到室温到400℃的范围内。
公开/授权文献
- CN101002308A 用于形成氧化物膜的方法和设备 公开/授权日:2007-07-18