公开(公告)号：CN101506952B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200780031642.6

申请日：2007-08-22

申请人： 株式会社明电舍 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

发明人： 西口哲也 ,  龟田直人 ,  齐藤茂 ,  野中秀彦 ,  一村信吾

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/31612 ,  C23C16/402 ,  C23C16/482 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明提供了一种用于氧化膜形成的装置(1)。在该装置(1)中，紫外光范围内的光被应用到基板(7)上，以及同时，有机硅的起动气体(G1)和臭氧气体(G2)被供应给基板(7)以在基板(7)的表面上形成氧化膜。基板(7)被存放于处理炉(2)中。管道布置(3)起着在室温下将起动气体(G1)和臭氧气体(G2)混合在一起以制备随即被供应给处理炉(2)中的基板(7)的混合物的作用。光源(5)放射出紫外光范围内的具有长于210nm的波长的光以及将其应用到了基板(7)上。被供应到管道布置(3)内的与起动气体(G1)混合的臭氧气体(G2)的量被设置成至少是为完全氧化起动气体(G1)所需的化学当量或更高的值。根据氧化膜形成的装置(1)，起动气体的利用率被提高了，以及同时，具有卓越特性的氧化膜能够通过200℃或200℃以下的膜形成过程来形成。

公开(公告)号：CN100338744C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN02823384.0

申请日：2002-10-31

申请人： 株式会社明电舍 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

发明人： 西口哲也 ,  野中秀彦 ,  一村信吾

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  C01B13/14 ,  C01B33/12

CPC分类号： G03G9/091 ,  C23C8/12 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

摘要： 通过将试样暴露给臭氧气体而在氧化试样(10)表面上形成氧化物薄膜的方法，包括下述步骤：用辐射红外光的光源(23)在放置于基座(21)或者用以加热基座的加热装置上的试样的待氧化区域上局部加热该氧化区域，并且，在100～44，000Pa的指定压力下加热氧化试样的同时，通过供应臭氧气体给氧化试样而将氧化试样暴露给臭氧气体，其中，臭氧气体的流动可以调节以使其在炉(20)中的流动为层流状态，可以安装辐射紫外光的光源，并且辐射紫外光的光源可以安装以辐射基座(20)的上游侧。

公开(公告)号：CN101002308A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200580027119.7

申请日：2005-08-01

申请人： 株式会社明电舍 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

发明人： 西口哲也 ,  一村信吾 ,  野中秀彦 ,  森川良树 ,  野寄刚示 ,  花仓满

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/40

摘要： 一种氧化物膜形成设备，其包括反应器10，其中装有用于容纳基材100的加热器单元14；管道11，其上装有用于将含有机硅或有机金属的原料气体引入到反应器内的原料气体引入阀V1；管道12，其上装有用于将含臭氧气体引入到反应器10内的含臭氧气体引入阀V2；和管道13，其上装有用于将气体从反应器10中排出的排气阀13。当原料气体引入阀V1、含臭氧气体引入阀V2和排气阀V3进行打开－关闭操作，以交替地将原料气体和含臭氧气体供应到反应器10中时，含臭氧气体引入阀V2促使含臭氧气体的臭氧浓度下降到0.1体积％到100体积％范围内，并且加热器单元将基材的温度调节到室温到400℃的范围内。

公开(公告)号：CN100555582C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200580027119.7

申请日：2005-08-01

申请人： 株式会社明电舍 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

发明人： 西口哲也 ,  一村信吾 ,  野中秀彦 ,  森川良树 ,  野寄刚示 ,  花仓满

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/40

摘要： 一种氧化物膜形成设备，其包括反应器10，其中装有用于容纳基材100的加热器单元14；管道11，其上装有用于将含有机硅或有机金属的原料气体引入到反应器内的原料气体引入阀V1；管道12，其上装有用于将含臭氧气体引入到反应器10同的含臭氧气体引入阀V2；和管道13，其上装有用于将气体从反应器10中排出的排气阀13。当原料气体引入阀V1、含臭氧气体引入阀V2和排气阀V3进行打开-关闭操作，以交替地将原料气体和含臭氧气体供应到反应器10中时，含臭氧气体引入阀V2促使含臭氧气体的臭氧浓度下降到0.1体积%到100体积%范围内，并且加热器单元将基材的温度调节到室温到400℃的范围内。

公开(公告)号：CN101506952A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780031642.6

申请日：2007-08-22

申请人： 株式会社明电舍 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

发明人： 西口哲也 ,  龟田直人 ,  齐藤茂 ,  野中秀彦 ,  一村信吾

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/31612 ,  C23C16/402 ,  C23C16/482 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明提供了一种用于氧化膜形成的装置(1)。在该装置(1)中，紫外光范围内的光被应用到基板(7)上，以及同时，有机硅的起动气体(G1)和臭氧气体(G2)被供应给基板(7)以在基板(7)的表面上形成氧化膜。基板(7)被存放于处理炉(2)中。管道布置(3)起着在室温下将起动气体(G1)和臭氧气体(G2)混合在一起以制备随即被供应给处理炉(2)中的基板(7)的混合物的作用。光源(5)放射出紫外光范围内的具有长于210nm的波长的光以及将其应用到了基板(7)上。被供应到管道布置(3)内的与起动气体(G1)混合的臭氧气体(G2)的量被设置成至少是为完全氧化起动气体(G1)所需的化学当量或更高的值。根据氧化膜形成的装置(1)，起动气体的利用率被提高了，以及同时，具有卓越特性的氧化膜能够通过200℃或200℃以下的膜形成过程来形成。

公开(公告)号：CN1592958A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN02823384.0

申请日：2002-10-31

申请人： 株式会社明电舍 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

发明人： 西口哲也 ,  野中秀彦 ,  一村信吾

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  C01B13/14 ,  C01B33/12

CPC分类号： G03G9/091 ,  C23C8/12 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

摘要： 通过将试样暴露给臭氧气体而在氧化试样(10)表面上形成氧化物薄膜的方法，包括下述步骤：用辐射红外光的光源(23)在放置于基座(21)或者用以加热基座的加热装置上的试样的待氧化区域上局部加热该氧化区域，并且，在100～44,000Pa的指定压力下加热氧化试样的同时，通过供应臭氧气体给氧化试样而将氧化试样暴露给臭氧气体，其中，臭氧气体的流动可以调节以使其在炉(20)中的流动为层流状态，可以安装辐射紫外光的光源，并且辐射紫外光的光源可以安装以辐射基座(20)的上游侧。