发明授权
CN100559554C 被处理体的蚀刻方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 被处理体的蚀刻方法
- 专利标题(英): Method for etching object to be processed
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申请号: CN02816292.7申请日: 2002-06-10
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公开(公告)号: CN100559554C公开(公告)日: 2009-11-11
- 发明人: 布濑晓志 , 藤本究 , 山口智代
- 申请人: 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权: 264500/2001 2001.08.31 JP; 264501/2001 2001.08.31 JP
- 国际申请: PCT/JP2002/005748 2002.06.10
- 国际公布: WO2003/021652 JA 2003.03.13
- 进入国家日期: 2004-02-20
- 主分类号: H01L21/3065
- IPC分类号: H01L21/3065
摘要:
在具有SiC膜(61)和在其上形成的有机Si类低介电常数膜(62)的构造中,将有机Si类低介电常数膜(62)作为掩膜,通过蚀刻气体的等离子体来蚀刻SiC膜(61),此时,作为蚀刻气体,使用包含CH2F2的气体或者包含CH3F的气体。
公开/授权文献
- CN1650405A 被处理体的蚀刻方法 公开/授权日:2005-08-03