公开(公告)号：CN101667536A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910170537.1

申请日：2002-06-10

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 布濑晓志 ,  藤本究 ,  山口智代

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

摘要： 本发明提供一种处理体的蚀刻方法，包括：将包含SiC部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的SiC部分的步骤，其特征在于：提供给处理容器中的蚀刻气体包含CH 3 F。

公开(公告)号：CN1650405A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN02816292.7

申请日：2002-06-10

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 布濑晓志 ,  藤本究 ,  山口智代

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

摘要： 在具有SiC膜(61)和在其上形成的有机Si类低介电常数膜(62)的构造中，将有机Si类低介电常数膜(62)作为掩膜，通过蚀刻气体的等离子体来蚀刻SiC膜(61)，此时，作为蚀刻气体，使用包含CH2F2的气体或者包含CH3F的气体。

公开(公告)号：CN100559554C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN02816292.7

申请日：2002-06-10

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 布濑晓志 ,  藤本究 ,  山口智代

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

摘要： 在具有SiC膜(61)和在其上形成的有机Si类低介电常数膜(62)的构造中，将有机Si类低介电常数膜(62)作为掩膜，通过蚀刻气体的等离子体来蚀刻SiC膜(61)，此时，作为蚀刻气体，使用包含CH2F2的气体或者包含CH3F的气体。

公开(公告)号：CN100541720C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200710140293.3

申请日：2003-06-24

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山口智代 ,  布瀬晓志 ,  藤本究 ,  本田昌伸 ,  永关一也 ,  高明辉 ,  榎本隆 ,  伊藤弘治 ,  北村彰规

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/40

摘要： 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象层和有机掩模层，该有机掩模层覆盖所述蚀刻对象层，形成有开口图案，该处理容器包括带有包含Si的物质的露出部的构成部件；向所述处理容器内导入从H2、N2和He构成的群中选择的至少一种处理气体；和等离子体化所述处理气体，等离子体处理所述有机掩模层。

公开(公告)号：CN101593677A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910138621.5

申请日：2002-06-10

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 布濑晓志 ,  藤本究 ,  山口智代

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种处理体的蚀刻方法，包括：将包含SiN部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；和向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的SiN部分的步骤，其特征在于：提供给处理容器中的蚀刻气体包含CH2F2和O2，蚀刻气体还包括Ar，蚀刻气体中Ar的流量/(CH2F2+O2)的流量的比例是比0大而在5以下，被处理体具有在SiN部分上设置的作为绝缘膜的有机Si类低介电常数膜，将该有机Si类低介电常数膜作为掩膜来蚀刻被处理体的SiN部分。

公开(公告)号：CN1497682A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310101936.5

申请日：2003-10-15

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山口智代

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01L21/31116

摘要： 本发明提供一种蚀刻速率、相对于SiO2的选择比及相对于有机物的选择比均高的SiC的等离子体蚀刻方法。对含有CHF3的蚀刻气体、含有CHF3和N2的气体、例如CHF3、N2和Ar的混合气体、或包含具有C、H与F的物质和具有N的物质、而不包含具有O的物质的蚀刻气体进行等离子体化，对SiC进行蚀刻。

公开(公告)号：CN101154569B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200710140294.8

申请日：2003-06-24

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山口智代 ,  布瀬晓志 ,  藤本究 ,  本田昌伸 ,  永关一也 ,  高明辉 ,  榎本隆 ,  伊藤弘治 ,  北村彰规

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/40

摘要： 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ArF光刻胶或F2光刻胶构成的光刻胶层；向所述处理容器中导入处理气体；等离子体化所述处理气体；和使该等离子体作用于所述被处理体，使所述光刻胶层的耐等离子体性提高的同时，通过所述开口图案，蚀刻所述防止反射层。

公开(公告)号：CN101593677B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200910138621.5

申请日：2002-06-10

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 布濑晓志 ,  藤本究 ,  山口智代

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种处理体的蚀刻方法，包括：将包含SiN部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；和向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的SiN部分的步骤，其特征在于：提供给处理容器中的蚀刻气体包含CH2F2和O2，蚀刻气体还包括Ar，蚀刻气体中Ar的流量/(CH2F2+O2)的流量的比例是比0大而在5以下，被处理体具有在SiN部分上设置的作为绝缘膜的有机Si类低介电常数膜，将该有机Si类低介电常数膜作为掩膜来蚀刻被处理体的SiN部分。

公开(公告)号：CN100440449C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN03815028.X

申请日：2003-06-24

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山口智代 ,  布瀬晓志 ,  藤本究 ,  本田昌伸 ,  永关一也 ,  高明辉 ,  榎本隆 ,  伊藤弘治 ,  北村彰规

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32192 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312

摘要： 一种等离子体处理方法，具有如下工序：准备表面具有有机层的被处理体；和向所述被处理体照射H2的等离子体，使所述有机层的耐等离子体性提高。

公开(公告)号：CN101667536B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910170537.1

申请日：2002-06-10

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 布濑晓志 ,  藤本究 ,  山口智代

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

摘要： 本发明提供一种被处理体的蚀刻方法，包括：将包含SiC部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的SiC部分的步骤，其特征在于：提供给处理容器中的蚀刻气体包含CH3F。