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发明授权
CN100576370C 制造双轴结构缓冲层的方法及相关产品、装置和系统 失效 - 权利终止

制造双轴结构缓冲层的方法及相关产品、装置和系统
摘要：
一种超导体产品，包括衬底和设置在所述衬底上的第一缓冲膜。第一缓冲膜具有单轴晶体结构，特征在于(i)在第一缓冲膜的平面外延伸的第一结晶方向上的结构在第一缓冲膜的平面内延伸的第二方向上没有明显的结构，或者(ii)在第一缓冲膜的平面内延伸的第一结晶方向上的结构在第一缓冲膜的平面外延伸的第二方向上没有明显的结构。第二缓冲膜被设置在第一缓冲膜上，第二缓冲膜具有双轴晶体结构。可以在所述第二缓冲膜上设置超导体层。离子辅助沉积(IBAD)可被用于沉积第二缓冲膜。
摘要（英）：

A superconductor article includes a substrate and a first buffer film disposed on the substrate. The first buffer film has a uniaxial crystal texture characterized (i) texture in a first crystallographic direction that extends out-of-plane of the first buffer film with no significant texture in a second direction that extends in-plane of the first buffer film, or (ii) texture in a first crystallographic direction that extends in-plane of the first buffer film with no significant texture in a second direction that extends out-of-plane of the first buffer film. A second buffer film is disposed on the first buffer film, the second buffer film having a biaxial crystal texture. A superconductor layer can be disposed on the second buffer film. Ion-beam assisted deposition (IBAD) can be used to deposit the second buffer film.

公开/授权文献
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