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公开(公告)号：CN1833294A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022814.X
申请日：2004-06-09
申请人： 佛罗里达大学研究基金会公司
发明人： 大卫·P·诺顿 , 文卡特·塞尔瓦马尼卡姆
CPC分类号： H01L39/2461 , C30B25/18 , C30B29/22 , Y10S428/93
摘要： 一种超导体产品，包括衬底和设置在所述衬底上的第一缓冲膜。第一缓冲膜具有单轴晶体结构，特征在于(i)在第一缓冲膜的平面外延伸的第一结晶方向上的结构在第一缓冲膜的平面内延伸的第二方向上没有明显的结构，或者(ii)在第一缓冲膜的平面内延伸的第一结晶方向上的结构在第一缓冲膜的平面外延伸的第二方向上没有明显的结构。第二缓冲膜被设置在第一缓冲膜上，第二缓冲膜具有双轴晶体结构。可以在所述第二缓冲膜上设置超导体层。离子辅助沉积(IBAD)可被用于沉积第二缓冲膜。
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公开(公告)号：CN100576370C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200480022814.X
申请日：2004-06-09
申请人： 佛罗里达大学研究基金会公司
发明人： 大卫·P·诺顿 , 文卡特·塞尔瓦马尼卡姆
CPC分类号： H01L39/2461 , C30B25/18 , C30B29/22 , Y10S428/93
摘要： 一种超导体产品，包括衬底和设置在所述衬底上的第一缓冲膜。第一缓冲膜具有单轴晶体结构，特征在于(i)在第一缓冲膜的平面外延伸的第一结晶方向上的结构在第一缓冲膜的平面内延伸的第二方向上没有明显的结构，或者(ii)在第一缓冲膜的平面内延伸的第一结晶方向上的结构在第一缓冲膜的平面外延伸的第二方向上没有明显的结构。第二缓冲膜被设置在第一缓冲膜上，第二缓冲膜具有双轴晶体结构。可以在所述第二缓冲膜上设置超导体层。离子辅助沉积(IBAD)可被用于沉积第二缓冲膜。
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