发明授权
CN1007389B 半导体器件
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体器件
- 专利标题（英）： SEMICONDUCTOR DEVICE
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申请号： CN86103793申请日： 1986-05-31
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公开(公告)号： CN1007389B公开(公告)日： 1990-03-28
- 发明人: 彼得·丹尼斯·斯科维尔 , 彼得·弗里德·布洛姆利 , 罗格·莱斯利·巴克
- 申请人： 标准电话电报公共有限公司
- 申请人地址： 英国伦敦
- 专利权人： 标准电话电报公共有限公司
- 当前专利权人： 标准电话电报公共有限公司
- 当前专利权人地址： 英国伦敦
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利代理部
- 代理商 王以平
- 优先权： 8507624 1985.03.23 GB
- 分案原申请号： 86101789 1986.03.19
- 主分类号： H01L21/82
- IPC分类号： H01L21/82 ; H01L29/72
摘要：
一种制造带有半自对准p+型基极接触(27、27a)的双极晶体管(1)。p型基区28形成在n型区(5)的表面区中，n型区5具有一个集电极。例如是n+掺杂多晶硅的且具有一个发射极的电极区(29)形成在与基区28接触的表面上。基区接触区(27、27a)是利用注入方式且把电极区(29)作为掩模而形成的。使n+型集电极接触区(25)伸到n型区(5)中。
公开/授权文献
- CN86103793A 半导体器件 公开/授权日：1987-04-08
IPC分类:
