公开(公告)号：CN86103793A

公开(公告)日：1987-04-08

申请号：CN86103793

申请日：1986-05-31

申请人： 标准电话电报公共有限公司

发明人： 彼得·丹尼斯·斯科维尔 ,  彼得·弗里德·布洛姆利 ,  罗格·莱斯利·巴克

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/0623 ,  Y10S148/01

摘要： 一种制造带有半自对准P+型基极接触(27、27a)的双极晶体管(1)。P型基区28形成在n型区(5)的表面区中，n型区5具有一个集电极。例如是n+掺杂多晶硅的且具有一个发射极的电极区(29)形成在与基区28接触的表面上。基区接触区(27、27a)是利用注入方式且把电极区(29)作为掩模而形成的。使n+型集电极接触区(25)伸到n型区(5)中。

公开(公告)号：CN86101789A

公开(公告)日：1986-11-19

申请号：CN86101789

申请日：1986-03-19

申请人： 标准电话电报公共有限公司

发明人： 彼得·丹尼斯·斯科维尔 ,  彼得·弗里德·布洛姆利 ,  罗格·莱斯利·巴克

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/70 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/0623 ,  Y10S148/01

摘要： 一种集成电路，其中，双极晶体管(1)和CMOS晶体管(2、3)在衬底上同时形成。CMOS晶体管的栅(11、21)与双极晶体管的发射极(29)用同一材料形成，双极器件的基极接触由相当于n阱MOS管的源、漏区(17、18)的区域(27、27a)构成，并由基区注入(28)桥接。增加两次光刻掩膜及一次基区注入改进了普通的CMOS工艺。一次光刻步骤决定(28)的范围，另一次光刻步骤决定氧化层(30)在(28)上的范围。基极接触用半自对准的方法产生。

公开(公告)号：CN1009887B

公开(公告)日：1990-10-03

申请号：CN86101209

申请日：1986-02-26

申请人： 标准电话电报公共有限公司

发明人： 彼得·丹尼斯·斯科维尔 ,  彼得·弗里德·布洛姆利 ,  罗格·莱斯利·贝克 ,  加里·约翰·托姆金斯

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L21/0337 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011 ,  Y10S148/124

摘要： 一种完全自对准的多晶硅发射极双极晶体管P+基极接触(12)的自对准是通过利用发射极台面(7)的氧化侧壁(8)(侧壁隔层)作为P+基极接触注入掩模的一部分而获得的，集成极接触(13)的对准是利用多晶硅对准台面(14)的氧化侧壁而获得的，该对准台面限定在同发射极台面(7)样的多晶硅中，但淀积在氧化物(2)上，而不是淀积在注入的基区(5)中。

公开(公告)号：CN1007389B

公开(公告)日：1990-03-28

申请号：CN86103793

申请日：1986-05-31

申请人： 标准电话电报公共有限公司

发明人： 彼得·丹尼斯·斯科维尔 ,  彼得·弗里德·布洛姆利 ,  罗格·莱斯利·巴克

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/0623 ,  Y10S148/01

摘要： 一种制造带有半自对准p+型基极接触(27、27a)的双极晶体管(1)。p型基区28形成在n型区(5)的表面区中，n型区5具有一个集电极。例如是n+掺杂多晶硅的且具有一个发射极的电极区(29)形成在与基区28接触的表面上。基区接触区(27、27a)是利用注入方式且把电极区(29)作为掩模而形成的。使n+型集电极接触区(25)伸到n型区(5)中。

公开(公告)号：CN1004593B

公开(公告)日：1989-06-21

申请号：CN86101789

申请日：1986-03-19

申请人： 标准电话电报公共有限公司

发明人： 彼得·丹尼斯·斯科维尔 ,  彼得·弗里德·布洛姆利 ,  罗格·莱斯利·巴克

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/72 ,  H01L29/70 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/0623 ,  Y10S148/01

摘要： 一种集成电路，其中，双极晶体管(1)和CMOS晶体管(2、3)在衬底上同时形成。CMOS晶体管的栅(11、21)与双极晶体管的发射极(29)用同一材料形成，双极器件的基极接触由相当于n阱MOS管的源、漏区(17、18)的区域(27、27a)构成，并由基区注入(28)桥接。增加两次光刻掩膜及一次基区注入改进了普通的CMOS工艺。一次光刻步骤决定(28)的范围，另一次光刻步骤决定氧化层(30)在(28)上的范围。基极接触用半自对准的方法产生。

公开(公告)号：CN86101209A

公开(公告)日：1986-09-17

申请号：CN86101209

申请日：1986-02-26

申请人： 标准电话电报公共有限公司

发明人： 彼得·丹尼斯·斯科维尔 ,  彼特·弗里德·布洛姆利 ,  罗格·莱斯利·贝克 ,  加里·约翰·托姆金斯

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L29/70

CPC分类号： H01L21/0337 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011 ,  Y10S148/124

摘要： 一种完全自对准的多晶硅发射极双极晶体管。P+基极接触(12)的自对准是通过利用发射极台面(7)的氧化侧壁(8)(侧壁隔层)作为P+基极接触注入掩模的一部分而获得的，集电极接触(13)的对准是利用多晶硅对准台面(14)的氧化侧壁而获得的，该对准台面限定在同发射极台面(7)一样的多晶硅中，但淀积在氧化物(2)上，而不是淀积在注入的基区(5)中。