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公开(公告)号：CN87100361A
公开(公告)日：1987-08-05
申请号：CN87100361
申请日：1987-01-20
申请人： 标准电话电报公共有限公司
发明人： 德里克·布伦·沃特斯 , 迈克尔·詹姆斯·塞克斯顿
IPC分类号： H04J3/17
CPC分类号： H04Q11/0407 , H04Q2213/13031 , H04Q2213/13292
摘要： 称为一级数字复接的数据传输设备由一印刷电 路板上的平行线做成的总线结构组成，装在印刷板 上的电路单元以直角装在总线结构上。电路单元包 括一控制部件，称为核心装置部件，作为一条或多 条2Mb/s干线的接口，分支部件可接到用户及其 它出口。描述了用一个或多个该PDMX设备的各 种网，设备的信令及控制装置采用信令处理器及单 音处理器。信令处理器监测总线上的信号及线路条 件并发出适当信号。单音处理器以类似方式工 作。
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公开(公告)号：CN86103793A
公开(公告)日：1987-04-08
申请号：CN86103793
申请日：1986-05-31
申请人： 标准电话电报公共有限公司
发明人： 彼得·丹尼斯·斯科维尔 , 彼得·弗里德·布洛姆利 , 罗格·莱斯利·巴克
CPC分类号： H01L21/8249 , H01L21/8238 , H01L27/0623 , Y10S148/01
摘要： 一种制造带有半自对准P+型基极接触(27、27a)的双极晶体管(1)。P型基区28形成在n型区(5)的表面区中，n型区5具有一个集电极。例如是n+掺杂多晶硅的且具有一个发射极的电极区(29)形成在与基区28接触的表面上。基区接触区(27、27a)是利用注入方式且把电极区(29)作为掩模而形成的。使n+型集电极接触区(25)伸到n型区(5)中。
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公开(公告)号：CN85104071A
公开(公告)日：1986-11-26
申请号：CN85104071
申请日：1985-05-28
申请人： 标准电话电报公共有限公司
发明人： 彼得·戴维·格林 , 丹尼尔·塞吉斯芒多·奥托·伦纳
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 用于制造半导体器件特别是但不只是Inp/InGaAsP低阈值半导体激光器的质量传递工艺，包括生长材料盖片(18)靠近要生长材料的半导体晶片(15)的安排，它们与晶状卤化碱(20)一起在坩埚(16)内的布置和坩埚的加热，加热时在氢气流中，几乎是但不完全是密封的。在制造InP/InGaAsP激光器和生长InP时，卤化碱可以是KI、RbI或CsI，并且可将一定量的In金属(21)放在坩埚(16)里，以控制确定激光器有源区的InP的生长与InP从晶片其他区域腐蚀之间的平衡。生长是在与液相外延工艺相似的温度下进行的。
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公开(公告)号：CN86101789A
公开(公告)日：1986-11-19
申请号：CN86101789
申请日：1986-03-19
申请人： 标准电话电报公共有限公司
发明人： 彼得·丹尼斯·斯科维尔 , 彼得·弗里德·布洛姆利 , 罗格·莱斯利·巴克
CPC分类号： H01L21/8249 , H01L21/8238 , H01L27/0623 , Y10S148/01
摘要： 一种集成电路，其中，双极晶体管(1)和CMOS晶体管(2、3)在衬底上同时形成。CMOS晶体管的栅(11、21)与双极晶体管的发射极(29)用同一材料形成，双极器件的基极接触由相当于n阱MOS管的源、漏区(17、18)的区域(27、27a)构成，并由基区注入(28)桥接。增加两次光刻掩膜及一次基区注入改进了普通的CMOS工艺。一次光刻步骤决定(28)的范围，另一次光刻步骤决定氧化层(30)在(28)上的范围。基极接触用半自对准的方法产生。
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公开(公告)号：CN1003620B
公开(公告)日：1989-03-15
申请号：CN85104952
申请日：1985-06-28
申请人： 标准电话电报公共有限公司
发明人： 丹尼尔·塞吉斯马多·奥托·兰纳
IPC分类号： H01L21/306 , H01S3/18 , H01L33/00
摘要： 选择腐蚀多层结构中位于各层下面的半导体层4的方法，层1的材料与层4相同或相似，腐蚀对层1无显著影响，预蚀层1.4，层5下面出现带凹槽10的阶梯结构，在已预蚀的结构上用r.f.方法淀积SiO211，凹槽的SiO2最薄，且有选择地去除之，在层1仍有SiO2覆盖时腐蚀层4至要求的宽度，该方法可用于传质埋层异质结构激光器的制造，层1、4是镓铟砷磷，层3、5是铟磷，最后用质量传递工艺以铟磷填充凹槽，层1、5可以为P型、层3为n型，层1为激光器提供一个电接触层。
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公开(公告)号：CN85109176A
公开(公告)日：1986-05-10
申请号：CN85109176
申请日：1985-10-25
申请人： 标准电话电报公共有限公司
发明人： 斯蒂芬·艾恩·诺曼·格里哥里格 , 约翰·奥恩·帕里
CPC分类号： G01N21/532
摘要： 利用光散射和吸收技术测量水中的含油浓度，将直接传输和散射的光信号强度相比较而得出相应于在混合液中含有的固态杂质量的校正因数。然后将此校正因数施加到一个相应于穿过混合液而直接传输的光亮度信号上，从而求得该混合液中准确的含油量。
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公开(公告)号：CN1009895B
公开(公告)日：1990-10-03
申请号：CN87100361
申请日：1987-01-20
申请人： 标准电话电报公共有限公司
发明人： 德里克·布伦·沃特斯 , 迈克尔·詹姆斯·塞克斯顿
CPC分类号： H04Q11/0407 , H04Q2213/13031 , H04Q2213/13292
摘要： 称为一级数字复接的数据传输设备由一印刷电路板上的平行线做成的总线结构组成，装在印刷板上的电路单元以直角装在总线结构上。电路单元包括一控制部件，称为核心装置部件，作为一条或多条2Mb/s干线的接口，分支部件可接到用户及其它出口。描述了用一个或多个数字复接设备的各种网，设备的信令及控制装置采用信令处理器及单音处理器。信令处理器监测总线上的信号及线路条件并发出适当信号，单音处理器以类似方式工作。
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公开(公告)号：CN1003337B
公开(公告)日：1989-02-15
申请号：CN85104071
申请日：1985-05-28
申请人： 标准电话电报公共有限公司
发明人： 彼得·戴维·格林 , 丹尼尔·塞吉斯芒多·奥托·伦纳
IPC分类号： H01S3/18 , H01L21/203
摘要： 用于制造半导体器件特别是但不只是InP/InGaAsP低阈值半导体激光器的质量传递工艺，包括生长材料盖片(18)靠近要生长材料的半导体晶片(15)的安排，它们与晶状卤化碱(20)一起在坩埚(16)内的布置和坩埚的加热，加热时在氢气流中，几乎是但不完全是密封的。在制造InP/InGaAsP激光器和生长InP时，卤化碱可以是KI、RbI、或CsI，并且可将一定量的In金属(21)放在坩埚(16)里，以控制确定激光器有源区的InP的生长与InP从晶片其他区域腐蚀之间的平衡。生长是在与液相外延工艺相似的温度下进行的。
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公开(公告)号：CN86102695A
公开(公告)日：1987-11-04
申请号：CN86102695
申请日：1986-04-21
申请人： 标准电话电报公共有限公司 , 布里托尔公共有限公司
发明人： 迈克尔·约翰·布里亚恩特 , 弗兰克·理查德·阿坦伯罗 , 克里斯托福·格拉哈姆·希基斯
摘要： 拖曳式声阵或地震探测器用的一种柔性结节部，包括有一批由夹紧部件10c、11c接附于应变索12上的盒子。此结节部封装于一柔曲性的外套13中，并以浮力凝胶充填。这种结节部的柔曲性使之能绕过胶盘，而应变索则可在不使这些独立的盒子受到应力影响的条件下传递拖曳应变。
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公开(公告)号：CN86100971A
公开(公告)日：1986-08-06
申请号：CN86100971
申请日：1986-02-04
申请人： 标准电话电报公共有限公司
发明人： 马尔科姆·当肯·马卡
IPC分类号： G02B6/44
摘要： 为涂敷光导纤维(29)的涂敷器包含一个其进口由柔性孔口元件(11)构成的涂敷腔(30)。在使用时，腔体(30)容纳处在压力下的涂料，而且涂料经过进口孔口元件(11)和出口孔口元件(10)溢出腔体以致在光纤进入涂料腔之前就以涂料对它预湿。该预湿是防止在涂敷过程中空气泡的形成，并允许高速涂敷。
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