发明公开
CN101015064A 用于图像传感器的氘化结构及其形成方法
无效 - 驳回
- 专利标题： 用于图像传感器的氘化结构及其形成方法
- 专利标题（英）： Deuterated structures for image sensors and methods for forming the same
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申请号： CN200580030106.5申请日： 2005-07-07
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公开(公告)号： CN101015064A公开(公告)日： 2007-08-08
- 发明人: C·穆利
- 申请人： 微米技术有限公司
- 申请人地址： 美国爱达荷州
- 专利权人： 微米技术有限公司
- 当前专利权人： 微米技术有限公司
- 当前专利权人地址： 美国爱达荷州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 刘红; 陈景峻
- 优先权： 10/885,650 2004.07.08 US
- 国际申请： PCT/US2005/023888 2005.07.07
- 国际公布： WO2006/014457 EN 2006.02.09
- 进入国家日期： 2007-03-08
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
摘要：
具有光电转换装置以及至少一个结构的一种像素单元包括毗邻所述光电转换装置的氘化材料。
IPC分类:
