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公开(公告)号：CN100565889C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200480024039.1
申请日：2004-06-22
申请人： 微米技术有限公司
发明人： C·穆利
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14609
摘要： 本发明实施例提供形成像素单元的方法和结果像素单元，像素单元包括在衬底表面形成的光电转换装置和邻近光电转换装置的晶体管。晶体管包括栅极及其下面的沟道区。栅极包括其功函数大于n+多晶硅的功函数的至少一个栅极区。沟道区包括在每个栅极区下面的各自的沟道部分。所述沟道区的至少一个部分的掺杂浓度至少部分地由相应的栅极区的功函数确定。
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公开(公告)号：CN1738045A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510096578.2
申请日：2003-11-12
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/146 , H01L21/762 , H01L21/82
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689
摘要： 本发明提供一种用于隔离半导体器件的区域的隔离方法和器件。隔离结构和方法包括在场隔离区上方并与图像传感器的像素相邻地形成偏置栅极。隔离方法还包括在场隔离区的相当大部分上方形成隔离栅，以便隔离像素阵列中的像素。隔离方法和结构还包括在有源区中形成隔离沟槽，并用含硅的掺杂导电材料填充沟槽。还通过以下步骤提供一种用于隔离所述区域的方法和结构：在衬底的有源区中提供沟槽，在沟槽中生长外延层以填充沟槽或者部分地填充沟槽，并且在外延层上方和沟槽内淀积绝缘材料，从而完全填充沟槽。
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公开(公告)号：CN101006575A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200580027530.4
申请日：2005-06-21
申请人： 微米技术有限公司
发明人： C·穆利
IPC分类号： H01L21/765 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L21/765 , H01L27/10873
摘要： 在一个示范性实施例中，本发明提供了一种在衬底上方形成的隔离栅，用于偏置衬底并提供在集成电路结构如DRAM存储器单元的相邻有源区之间的隔离。将氧化铝(Al2O3)用作栅电介质，而不是常规的栅氧化层，以在沟槽隔离区下方和附近产生富含空穴的积累区。本发明的另一示范性实施例提供了在浅沟槽隔离(STI)区中用作里衬的氧化铝层，以增加隔离区的有效性。这些实施例还可在隔离区处一起被使用。
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公开(公告)号：CN1839476A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200480024039.1
申请日：2004-06-22
申请人： 微米技术有限公司
发明人： C·穆利
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14609
摘要： 本发明实施例提供形成像素单元的方法和结果像素单元，像素单元包括在衬底表面形成的光电转换装置和邻近光电转换装置的晶体管。晶体管包括栅极及其下面的沟道区。栅极包括其功函数大于n+多晶硅的功函数的至少一个栅极区。沟道区包括在每个栅极区下面的各自的沟道部分。所述沟道区的至少一个部分的掺杂浓度至少部分地由相应的栅极区的功函数确定。
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公开(公告)号：CN100487901C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200480012379.2
申请日：2004-03-12
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/26586 , H01L21/76224 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
摘要： 公开了一种位于第一导电类型的衬底内的具有侧壁和底部注入区的沟槽隔离结构。该侧壁与底部注入区用第一导电类型掺杂物以斜角注入、90°角注入或斜角与90°角组合注入的方式形成。位于邻近沟槽隔离的该侧壁与底部注入区可减小表面泄漏和暗电流。
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公开(公告)号：CN101040385A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580035295.5
申请日：2005-08-09
申请人： 微米技术有限公司
发明人： C·穆利
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14654
摘要： 本发明提供了像素单元，所述像素单元具有衬底，所述衬底具有由高碳浓缩物例如SiC或者碳化的硅形成的隔离沟道。在所述像素单元的衬底上提供了含有SiC或者碳化的硅的所述沟道，以降低暗电流泄漏。
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公开(公告)号：CN101015064A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580030106.5
申请日：2005-07-07
申请人： 微米技术有限公司
发明人： C·穆利
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L27/14601 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14687
摘要： 具有光电转换装置以及至少一个结构的一种像素单元包括毗邻所述光电转换装置的氘化材料。
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公开(公告)号：CN1843028A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200480024492.2
申请日：2004-06-24
申请人： 微米技术有限公司
发明人： C·穆利
摘要： 用于识别和补偿具有图像处理设备的高分辨率数字摄像机中有缺陷的像素的影响的方法和设备。所述设备包括：存储系统，用于存储与像素阵列捕获的暗电流基准图像和白基准图像以及至少一个实际图像对应的数据；以及至少一个处理器，它连接到存储系统，用于根据存储的数据补偿与实际图像对应的数据。所述方法包括：捕获和存储暗基准图像和白基准图像两者以及捕获和存储实际图像；识别受暗电流影响的像素或有缺陷的像素；从所述存储系统读出实际图像的与受暗电流影响的或有缺陷的像素对应的数据；以及补偿所述受影响的像素。
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公开(公告)号：CN101521217A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910132434.6
申请日：2004-03-12
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/078 , H01L21/762 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26586 , H01L21/76224 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
摘要： 用于沟道隔离的斜角注入。一种用于像素传感器单元的沟道隔离结构，包括：形成在衬底中的介质材料；以及位于邻近所述高介质材料的至少一个侧壁并与光传感器区域接触的注入区。
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公开(公告)号：CN100508161C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200580027530.4
申请日：2005-06-21
申请人： 微米技术有限公司
发明人： C·穆利
IPC分类号： H01L21/765 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L21/765 , H01L27/10873
摘要： 在一个示范性实施例中，本发明提供了一种在衬底上方形成的隔离栅，用于偏置衬底并提供在集成电路结构如DRAM存储器单元的相邻有源区之间的隔离。将氧化铝(Al2O3)用作栅电介质，而不是常规的栅氧化层，以在沟槽隔离区下方和附近产生富含空穴的积累区。本发明的另一示范性实施例提供了在浅沟槽隔离(STI)区中用作里衬的氧化铝层，以增加隔离区的有效性。这些实施例还可在隔离区处一起被使用。
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