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发明公开
CN101022093A 像素结构的制作方法 失效 - 权利终止 复审申请

像素结构的制作方法
摘要：
本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法包括下列步骤：首先，提供一已形成有一主动组件的基板。接着，形成一图案化保护层于基板与主动组件上，图案化保护层暴露出部分的主动组件。继之，形成一导电层覆盖该图案化保护层，且导电层电性连接至主动组件。接着，提供一掩膜于导电层上方，且掩膜暴露出部分的导电层，再使用激光经由掩膜照射导电层，以移除掩膜所暴露的部分导电层，而剩余的导电层构成一像素电极且电性连接至该主动组件。此制作方法较为简单因而降低制作成本。
摘要（英）：

This invention provides a manufacturing method for the pixel structure including the following steps: first of all providing a base plate forming an active component, then forming a pattern protection layer on the base plate and the active component, in which, the pattern protection layer exposes part of the active component and then forming a conduction layer on the pattern protection layer and the conduction layer is connected to the active component, then providing a mask above the conduction layer and exposing part of the conduction layer and using a laser to irradiate on the conduction layer to remove the exposed part of the conduction layer and the rest of which constitutes a pixel electrode connected to the active component electrically.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84 .....衬底不是半导体的，例如绝缘体
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