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公开(公告)号：CN104539227A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410852505.0
申请日：2014-12-31
申请人： 友达光电股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种太阳能装置，包括太阳能电池模块以及框体结构，其中太阳能电池模块嵌入框体结构中。框体结构包括外框架、第一辅助肋、第二辅助肋及第三辅助肋。外框架包括相互连接的第一边框、第二边框、第三边框和第四边框，其中第一边框和第二框边彼此相对，且第三边框和第四框边彼此相对。第一辅助肋、第二辅助肋及第三辅助肋分别跨接于第一边框和第二框边，且分别包括第一I形主体以及连接至第一I形主体的相对两侧面上的一对第一固接部。本发明同时具有良好的机械强度及轻量化的设计。
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公开(公告)号：CN102280507B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110222434.2
申请日：2011-07-27
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/052
CPC分类号： Y02E10/52
摘要： 一种太阳电池模块，其包括结晶硅太阳电池、第一密封材料层、透光基板、第二密封材料层以及薄膜太阳电池。结晶硅太阳电池具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。第一密封材料层配置于结晶硅太阳电池的第一表面上。透光基板配置于第一密封材料层上，其中第一密封材料层位于透光基板与结晶硅太阳电池之间。第二密封材料层配置于结晶硅太阳电池的第二表面上。薄膜太阳电池配置于第二密封材料层上，其中第二密封材料层位于薄膜太阳电池与结晶硅太阳电池之间。
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公开(公告)号：CN102637757A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210108719.8
申请日：2012-04-10
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L31/042
摘要： 本发明揭露一种光伏阵列系统、其光伏装置及其光伏装置的侧框件，其中此侧框件包含一沟槽、一容置孔及一金属线材。沟槽沿侧框件的一长轴方向延伸，用以固持一光伏面板的侧边。容置孔沿此长轴方向延伸，用以使金属线材设于其内，并与长轴方向平行。
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公开(公告)号：CN102412317A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110322465.5
申请日：2011-10-21
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开一种电极焊接结构、具有该电极焊接结构的背电极太阳能电池模块及太阳能电池模块制作方法。该电极焊接结构包含两个焊接件，用以电连接两个半导体单元，例如太阳能电池单元。该焊接件的一端部先对应焊接于该半导体单元的一电极焊接垫，该焊接件的另一端再彼此焊接。因此，该两个半导体单元的对应的电极利用该两个焊接件分段焊接，有助于该焊接件对该电极焊接垫的对位，以及于有多组对应的电极电连接的情形时，也有利于无损地分割该两个半导体单元。
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公开(公告)号：CN102324442A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110285626.8
申请日：2011-09-07
申请人： 友达光电股份有限公司
CPC分类号： H01L31/0508 , H01L31/0516 , Y02E10/50
摘要： 本发明揭露一种背电极太阳能电池模块及其电极焊接方法。该背电极太阳能电池模块包含一基板、形成于该基板上的二太阳能电池单元、一弯曲焊接件。该弯曲焊接件分别焊接于该二太阳能电池单元的电极焊接垫。该弯曲焊接件包含一弯曲部，于该第一电极焊接垫及该第二电极焊接垫之间，该弯曲部平行于该基板弯曲。因此，本发明利用该弯曲部具有的结构上弹性或可容许的变形来释放因电极焊接或后续的压合封装操作而产生的内部应力，解决习知电极焊接件内部残留应力对太阳能电池单元间电连接有害影响的问题。
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公开(公告)号：CN102290470A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110208925.1
申请日：2011-07-21
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L31/048
摘要： 本发明有关于一种太阳能电池装置，包括太阳能电池模块与支撑结构。太阳能电池模块具有底面与位在底面的支撑部。支撑结构设置于太阳能电池模块的下方并承载接抵于太阳能电池模块的支撑部。支撑结构包括第一支架、第二支架与缓冲件。第一支架与支撑部组配并形成支点。第二支架与支撑部组配并远离第一支架设置。缓冲件抵接于第二支架的顶端与底面之间。缓冲件使太阳能电池模块以支点为轴相对第二支架进行往复摆动。
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公开(公告)号：CN102097390A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010588415.7
申请日：2007-12-26
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/268 , G02F1/1362
摘要： 本发明涉及一种像素结构的制作方法，包括下列步骤：首先，提供形成有第一导电层的基板，接着提供第一遮罩于第一导电层上方，并使用激光经过第一遮罩照射第一导电层，以形成栅极。接着，形成栅极绝缘层于基板上，以覆盖栅极。继之，同时形成沟道层、源极以及漏极于栅极上方的栅极绝缘层上，其中栅极、沟道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。接着，形成图案化保护层于薄膜晶体管之上，图案化保护层暴露出部分漏极。接着，形成电性连接于漏极的像素电极。本发明利用激光剥离的方式来制作栅极，并且使得沟道层、源极与漏极同时制作完成，因此相比于公知的像素结构制作方法，可以简化工艺步骤并减少光掩模的制作成本。
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公开(公告)号：CN101315909A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810137834.1
申请日：2008-07-08
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/84
摘要： 一种像素结构的制作方法，其包括下列步骤。首先，于基板上形成栅极，并于基板上形成栅介电层以覆盖栅极。接着，于栅介电层上形成通道层，并于通道层上形成第二金属层。接着，于第二金属层上形成图案化光致抗蚀剂层，并以图案化光致抗蚀剂层为掩模移除部分的第二金属层，以于栅极两侧的通道层上形成源极与漏极，其中栅极、通道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。之后，于图案化光致抗蚀剂层、栅介电层以及薄膜晶体管上形成保护层。移除图案化光致抗蚀剂层，以使图案化光致抗蚀剂层上的保护层一并被移除，而形成图案化保护层，并暴露出漏极。接着，于图案化保护层与漏极上形成一像素电极。本发明可以简化工艺步骤并减少光掩模的制作成本。
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公开(公告)号：CN101118881A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710149196.0
申请日：2007-09-06
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/3213 , G02F1/1362
摘要： 本发明是关于一种像素结构的制作方法，包括下列步骤。首先，提供一基板，并形成栅极于基板上。接着，形成门介电层于基板上，以覆盖栅极。继之，形成半导体层于门介电层上，并提供一暴露出部分半导体层的第一遮罩于半导体层上方，使用激光照射以移除部分半导体层，而形成通道层。之后，形成源极以及漏极于栅极两侧的通道层上。接着，形成图案化保护层覆盖通道层并暴露出漏极。之后，形成导电层以覆盖图案化保护层与暴露的漏极，并通过图案化保护层使导电层图案化，以形成像素电极。
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公开(公告)号：CN1905159A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610110716.2
申请日：2006-08-07
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/768 , H01L27/02 , H01L23/522 , G02F1/136
摘要： 本发明提供一种利用激光剥除工艺形成阵列基板的方法。利用导电层与其它材料的附着强度的差异，本发明可选择性地图案化导电层而不需额外光掩模。此外，本发明也提供一种阵列基板，其上表面的无机保护层与导电层交界处基本上为连续结构且彼此嵌合。
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