发明公开
- 专利标题: 半导体集成电路器件
- 专利标题(英): Semiconductor integrated circuit device
-
申请号: CN200610103046.1申请日: 2001-02-16
-
公开(公告)号: CN101026139A公开(公告)日: 2007-08-29
- 发明人: 宫木美典 , 铃木博通 , 金田刚
- 申请人: 株式会社日立制作所
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 株式会社日立制作所
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 王茂华
- 优先权: 046724/2000 2000.02.18 JP
- 分案原申请号: 011046228
- 主分类号: H01L23/48
- IPC分类号: H01L23/48 ; H01L23/31
摘要:
本发明提供一种半导体集成电路器件,其包括:焊丝,电连接到半导体芯片的表面电极;多个内引线,位于半导体芯片周围;钯层,形成在多个内引线的每一个内引线的焊丝键合部分上方;粘合部分,通过焊丝与内引线的连接而形成;以及树脂,用于模塑半导体芯片、多个内引线、焊丝和粘合部分;其中焊丝的直径为30μm或更小;其中粘合部分具有粘合宽度和粘合长度;其中粘合宽度为焊丝的直径的1.5倍或更大,并且粘合宽度为焊丝的直径的3.5倍或更小;以及其中粘合长度为焊丝的直径的1.5倍或更大,并且粘合长度为焊丝的直径的3.5倍或更小。由此能有效地防止由于施加到半导体集成电路器件的卡路里增加产生的线断开。
公开/授权文献
- CN100440493C 半导体集成电路器件 公开/授权日:2008-12-03
IPC分类: