发明公开
CN101038864A 压电电阻元件及其制造方法
无效 - 驳回
- 专利标题: 压电电阻元件及其制造方法
- 专利标题(英): Piezoresistance element and semiconductor device having the same
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申请号: CN200710004284.1申请日: 2007-01-19
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公开(公告)号: CN101038864A公开(公告)日: 2007-09-19
- 发明人: 池上尚克
- 申请人: 冲电气工业株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 冲电气工业株式会社
- 当前专利权人: 冲电气工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 黄纶伟
- 优先权: 2006-072750 2006.03.16 JP
- 主分类号: H01L21/02
- IPC分类号: H01L21/02 ; H01L21/822 ; H01L29/84 ; H01L27/04 ; G01P15/12
摘要:
本发明提供压电电阻元件及其制造方法。第一课题在于提供受外部电场的影响(表面电场效应)引起的电阻值的变动小的压电电阻元件及其制造方法。并且,第二课题在于提供击穿耐压高且漏电流小的压电电阻元件及其制造方法。制造压电电阻元件的方法的特征在于,该方法包括:在半导体衬底上形成槽的工序;在槽内部形成与半导体衬底不同的导电类型的电阻层的工序;在电阻层的上部形成与半导体衬底相同的导电类型的硅层的工序。本发明的第二方式的压电电阻元件的特征在于,具有:一对接触区域,其形成在半导体衬底内;电阻层,其是与半导体衬底不同的导电类型,形成于在半导体衬底的一对接触区域之间形成的槽的内部;硅层,其是与半导体衬底相同的导电类型,形成在电阻层上。
IPC分类: