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公开(公告)号：CN100514567C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610067369.X
申请日：2006-03-24
申请人： 冲电气工业株式会社
发明人： 池上尚克
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/3065 , H01L21/324 , B81C1/00
CPC分类号： H01L21/30655 , B81C1/00063 , H01L21/02057
摘要： 本发明提供一种堆积于沟槽侧壁的等离子体聚合膜的剥离性优异的半导体装置的制造方法。本发明半导体装置的制造方法是制造对半导体衬底进行沟槽加工的半导体装置的方法，该方法包括：交替地重复对表面设有蚀刻掩膜的半导体衬底的露出表面进行干法蚀刻，形成沟槽结构的蚀刻步骤、和堆积用于抑制沟槽侧壁蚀刻的保护膜的堆积步骤，从而对上述半导体衬底进行沟槽加工处理的工序；以及，将进行了上述沟槽加工处理后的上述半导体衬底立即在规定温度下加热处理的工序。例如在沟槽加工处理后，立即在300～500[℃]的温度范围内加热处理，然后进行等离子灰化灰化处理。
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公开(公告)号：CN1855379A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610067369.X
申请日：2006-03-24
申请人： 冲电气工业株式会社
发明人： 池上尚克
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/3065 , H01L21/324 , B81C1/00
CPC分类号： H01L21/30655 , B81C1/00063 , H01L21/02057
摘要： 本发明提供一种堆积于沟槽侧壁的等离子体聚合膜的剥离性优异的半导体装置的制造方法。本发明半导体装置的制造方法是制造对半导体衬底进行沟槽加工的半导体装置的方法，该方法包括：交替地重复对表面设有蚀刻掩膜的半导体衬底的露出表面进行干法蚀刻，形成沟槽结构的蚀刻步骤、和堆积用于抑制沟槽侧壁蚀刻的保护膜的堆积步骤，从而对上述半导体衬底进行沟槽加工处理的工序；以及，将进行了上述沟槽加工处理后的上述半导体衬底立即在规定温度下加热处理的工序。例如在沟槽加工处理后，立即在300～500℃的温度范围内加热处理，然后进行等离子灰化灰化处理。
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公开(公告)号：CN100449789C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200510059283.8
申请日：2005-03-25
申请人： 冲电气工业株式会社
发明人： 池上尚克
CPC分类号： B81C1/00896
摘要： 在具有夹在两个半导体层之间的牺牲层的衬底上制造微型机电系统。半导体层被选择性地刻蚀，使得形成未被刻蚀的框架和由牺牲层固定在框架内而不能移动的刻蚀的微型结构。一种粘性板被连附在衬底的一个表面，并把衬底切割成为芯片，每个芯片包括一个框架和一个被固定不动的微型结构。然后选择性地刻蚀所述牺牲层，使得释放每个微型结构中的可动元件。最后，把芯片从粘性板上分离，每个芯片便成为一个微型机电系统。这种制造方法提供一种简单而廉价的方式来避免在切割处理期间破坏所述微型结构。
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公开(公告)号：CN101038864A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710004284.1
申请日：2007-01-19
申请人： 冲电气工业株式会社
发明人： 池上尚克
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/822 , H01L29/84 , H01L27/04 , G01P15/12
CPC分类号： H01L29/84 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/18 , G01P2015/0842
摘要： 本发明提供压电电阻元件及其制造方法。第一课题在于提供受外部电场的影响(表面电场效应)引起的电阻值的变动小的压电电阻元件及其制造方法。并且，第二课题在于提供击穿耐压高且漏电流小的压电电阻元件及其制造方法。制造压电电阻元件的方法的特征在于，该方法包括：在半导体衬底上形成槽的工序；在槽内部形成与半导体衬底不同的导电类型的电阻层的工序；在电阻层的上部形成与半导体衬底相同的导电类型的硅层的工序。本发明的第二方式的压电电阻元件的特征在于，具有：一对接触区域，其形成在半导体衬底内；电阻层，其是与半导体衬底不同的导电类型，形成于在半导体衬底的一对接触区域之间形成的槽的内部；硅层，其是与半导体衬底相同的导电类型，形成在电阻层上。
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公开(公告)号：CN1793936B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200510107009.3
申请日：2005-09-30
申请人： 冲电气工业株式会社
发明人： 池上尚克
CPC分类号： B81B3/0051 , B81B7/0012 , B81B2201/0235 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/18 , G01P2015/084 , G01P2015/0842
摘要： 本发明涉及一种用简单的制造方法提高耐冲击性的加速度传感器，该加速度传感器包括：挠性地支承锤固定部(13)的周边固定部(12)；固定在锤固定部(13)上的锤部(23)；为了与外壳底部(61)等传感器搭载部隔开规定间隔地配置该锤部(23)、而将周边固定部(12)固定在上述传感器搭载部上的台座部(21)；配置在与上述传感器搭载部对置的位置、用于限制锤部(23)位移的止动部(15)。在止动部(15)等上，利用分配器(dispenser)等，按一定量直接涂敷有固化性的弹性粘接剂(例如从液体固化为弹性体的硅类橡胶(50)等)。因此，施加在止动部(15)上的冲击力等通过弹性粘接剂吸收并抑制，加强了止动部(15)，提高了耐冲击性等的机械强度。
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公开(公告)号：CN1793936A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510107009.3
申请日：2005-09-30
申请人： 冲电气工业株式会社
发明人： 池上尚克
CPC分类号： B81B3/0051 , B81B7/0012 , B81B2201/0235 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/18 , G01P2015/084 , G01P2015/0842
摘要： 本发明涉及一种用简单的制造方法提高耐冲击性的加速度传感器，该加速度传感器包括：挠性地支承锤固定部(13)的周边固定部(12)；固定在锤固定部(13)上的锤部(23)；为了与外壳底部(61)等传感器搭载部隔开规定间隔地配置该锤部(23)、而将周边固定部(12)固定在上述传感器搭载部上的台座部(21)；配置在与上述传感器搭载部对置的位置、用于限制锤部(23)位移的止动部(15)。在止动部(15)等上，利用分配器(dispenser)等，按一定量直接涂敷有固化性的弹性粘接剂(例如从液体固化为弹性体的硅类橡胶(50)等)。因此，施加在止动部(15)上的冲击力等通过弹性粘接剂吸收并抑制，加强了止动部(15)，提高了耐冲击性等的机械强度。
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公开(公告)号：CN1705138A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510059283.8
申请日：2005-03-25
申请人： 冲电气工业株式会社
发明人： 池上尚克
CPC分类号： B81C1/00896
摘要： 在具有夹在两个半导体层之间的牺牲层的衬底上制造微型机电系统。半导体层被选择性地刻蚀，使得形成未被刻蚀的框架和由牺牲层固定在框架内而不能移动的刻蚀的微型结构。一种粘性板被连附在衬底的一个表面，并把衬底切割成为芯片，每个芯片包括一个框架和一个被固定不动的微型结构。然后选择性地刻蚀所述牺牲层，使得释放每个微型结构中的可动元件。最后，把芯片从粘性板上分离，每个芯片便成为一个微型机电系统。这种制造方法提供一种简单而廉价的方式来避免在切割处理期间破坏所述微型结构。
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