发明授权
CN101118903B 电容器及制造电容器的方法、半导体装置和液晶显示装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 电容器及制造电容器的方法、半导体装置和液晶显示装置
- 专利标题(英): Capacitor, method of producing the same, semiconductor device, and liquid crystal display device
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申请号: CN200710138292.5申请日: 2007-08-03
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公开(公告)号: CN101118903B公开(公告)日: 2010-09-01
- 发明人: 足立研 , 堀内悟志
- 申请人: 索尼株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 索尼株式会社
- 当前专利权人: 索尼株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 彭久云; 马高平
- 优先权: 212062/06 2006.08.03 JP; 273029/06 2006.10.04 JP; 013811/07 2007.01.24 JP
- 主分类号: H01L27/00
- IPC分类号: H01L27/00 ; H01L27/12 ; H01L21/02 ; H01L21/316 ; H01L21/84 ; G02F1/1362
摘要:
本发明公开了一种电容器及制造电容器的方法、半导体装置和液晶显示装置。该电容器包括被顺序地堆叠的第一电极、介电层和第二电极。该介电层具有包括预定数目的铪氧化物亚层和预定数目的钽氧化物亚层的堆叠层结构。亚层的数目、材料和厚度被确定以使得厚度比率有一范围,在该范围内,在显示施加在第一电极和第二电极之间的电压和漏电流之间的关系的电压-漏电流特性中,当堆叠层结构中预定数目的钽氧化物亚层的总厚度与介电层的总厚度的比率变化时,开始电压满足3[MV/cm]或更高的电场强度的条件,以及预定数目的钽氧化物亚层的总厚度与介电层的总厚度的比率在一个厚度比率范围以使得开始电压在所述范围内。
公开/授权文献
- CN101118903A 电容器及制造电容器的方法、半导体装置和液晶显示装置 公开/授权日:2008-02-06
IPC分类: