发明公开
CN101137268A 基板的等离子处理装置和等离子处理方法
无效 - 撤回
- 专利标题： 基板的等离子处理装置和等离子处理方法
- 专利标题（英）： Plasma processing apparatus of substrate and plasma processing method thereof
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申请号： CN200710148831.3申请日： 2007-08-31
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公开(公告)号： CN101137268A公开(公告)日： 2008-03-05
- 发明人: 宇井明生
- 申请人： 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本东京都港区芝浦一丁目1番1号
- 专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人地址： 日本东京都港区芝浦一丁目1番1号
- 代理机构： 上海市华诚律师事务所
- 代理商 徐申民; 张惠萍
- 优先权： 2006-237011 2006.08.31 JP
- 主分类号： H05H1/46
- IPC分类号： H05H1/46 ; H01L21/00 ; H01L21/67
摘要：
本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适合于对基板加工的离子能量，能够进一步减小该离子能量宽度来对加工形状进行精细控制的基板的等离子处理装置及等离子处理方法，所要实现的基板的等离子处理装置构成为：内部可保持真空的真空室内，第1RF电压外加手段和第2RF电压外加手段利用门触发装置分别对第1频率的第1RF电压和为所述第1频率的1/2的整数倍但不同于所述第1频率的第2频率的第2RF电压彼此进行相位控制，叠加加到与对置电极相向配置的RF电极上。