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    基板处理装置
    2.
    发明授权
    基板处理装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN102549724B

    公开(公告)日：2015-01-28

    申请号：CN200980161197.4

    申请日：2009-09-29

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 宇井明生 ,  林久贵 ,  菊谷圭介

    IPC分类号： H01L21/3065

    CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174

    摘要： 本发明涉及一种基板处理装置，其包括：腔室；配置于所述腔室内的第一电极；在所述腔室内与所述第一电极相对配置、保持基板的第二电极；对所述第二电极施加50MHz以上的频率的RF电压的RF电源；脉冲电源，该脉冲电源对所述第二电极反复施加与所述RF电压重叠的、包含负电压脉冲和从该负电压脉冲起延迟时间为50n秒以下的正电压脉冲的电压波形。

    基板的等离子处理装置
    3.
    发明授权
    基板的等离子处理装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN101277580B

    公开(公告)日：2013-01-02

    申请号：CN200810090518.3

    申请日：2008-03-26

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 宇井明生 ,  市川尚志 ,  玉置直树 ,  林久贵 ,  小岛章弘

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

    CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165

    摘要： 本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适于基板加工的离子能量，还可使该离子能量宽度减小来精细控制加工形状的基板的等离子处理装置。等离子处理装置构成为包括：内部保持真空的室；配置于其内部、并构成为在主面上保持要处理的基板的RE电极；以及与该RF电极相对配置的对置电极；用于对所述RE电极外加规定频率的RE电压的RE电压外加装置；以及用于对所述RF电极外加规定的脉冲电压以便其与所述RF电压叠加的脉冲电压外加装置。所述脉冲电压外加装置具有调整所述脉冲电压的所述外加的定时、并设定不外加所述脉冲电压的停止时间的控制机构。

    基板处理装置
    5.
    发明公开
    基板处理装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN102549724A

    公开(公告)日：2012-07-04

    申请号：CN200980161197.4

    申请日：2009-09-29

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 宇井明生 ,  林久贵 ,  菊谷圭介

    IPC分类号： H01L21/3065

    CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174

    摘要： 本发明涉及一种基板处理装置，其包括：腔室；配置于所述腔室内的第一电极；在所述腔室内与所述第一电极相对配置、保持基板的第二电极；对所述第二电极施加50MHz以上的频率的RF电压的RF电源；脉冲电源，该脉冲电源对所述第二电极反复施加与所述RF电压重叠的、包含负电压脉冲和从该负电压脉冲起延迟时间为50n秒以下的正电压脉冲的电压波形。

    基板的等离子处理装置和等离子处理方法
    7.
    发明公开
    基板的等离子处理装置和等离子处理方法 无效

    公开(公告)号：CN101137268A

    公开(公告)日：2008-03-05

    申请号：CN200710148831.3

    申请日：2007-08-31

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 宇井明生

    IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67

    CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174

    摘要： 本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适合于对基板加工的离子能量，能够进一步减小该离子能量宽度来对加工形状进行精细控制的基板的等离子处理装置及等离子处理方法，所要实现的基板的等离子处理装置构成为：内部可保持真空的真空室内，第1RF电压外加手段和第2RF电压外加手段利用门触发装置分别对第1频率的第1RF电压和为所述第1频率的1/2的整数倍但不同于所述第1频率的第2频率的第2RF电压彼此进行相位控制，叠加加到与对置电极相向配置的RF电极上。

    基板处理方法和基板处理设备
    8.
    发明公开
    基板处理方法和基板处理设备 无效

    公开(公告)号：CN104091747A

    公开(公告)日：2014-10-08

    申请号：CN201410366000.3

    申请日：2011-09-21

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 宇井明生 ,  林久贵

    IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174

    摘要： 本发明提供基板处理方法和基板处理设备。使用基板处理设备的基板处理方法包括第一步骤和第二步骤。第一步骤是施加来自包括在设备中的脉冲电源的负电压脉冲。第二步骤是对于在负电压脉冲和在负电压脉冲之后的来自脉冲电源的正电压脉冲之间的时段，施加浮动电位。另外，设备包括室、第一电极、第二电极、RF电源和脉冲电源。第二电极被设置成第二电极面向第一电极以保持基板。RF电源将具有50MHz以上的频率的RF电压施加到第二电极。脉冲电源将具有RF电压的电压波形重复地施加到第二电极。

    基板的等离子处理装置和等离子处理方法
    9.
    发明授权
    基板的等离子处理装置和等离子处理方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN101137269B

    公开(公告)日：2012-10-03

    申请号：CN200710148832.8

    申请日：2007-08-31

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 宇井明生

    IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/31

    CPC分类号： H01J37/32137 ,  C23C16/515 ,  H01J37/32091

    摘要： 本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适合于对基板加工的离子能量，进一步能够减小该离子能量宽度来对加工形状进行精细控制的基板的等离子处理装置及等离子处理方法，所要实现的基板的等离子处理装置包括下列构成：内部可保持真空的真空室；配置于该真空室内，并构成为其中主面上保持待处理基板的RF电极；所述真空室内与所述RF电极相向配置的对置电极；对所述RF电极加上规定频率的RF电压用的RF电压外加手段；以及对所述RF电极加上规定的脉冲电压来使其与所述RF电压叠加用的脉冲电压外加手段。