本发明提供一种即使形成具有ZnO系化合物半导体层的异质结的叠层部从而形成半导体元件，也不会引起驱动电压的上升，而且使结晶性良好、元件特性优异的氧化锌系化合物半导体元件。在由以A面(11－20)或M面(10－10)作为主面的MgxZn1－xO(0≤x≤0.5)构成的基板(1)的主面上，与主面平行的面在｛11－20｝面或｛10－10｝面上取向、并且与主面垂直的面在｛0001｝面上取向而外延生长ZnO系化合物半导体单晶层(2～6)。