本发明为一种可实现高效率电压倍增器的电路与方法，可由外部的低正负供应电压与地电位产生芯片内部所需的高正负供应电压。利用多相控制信号在内部节点的电压提升，可消除临界电压降损失，相较之下，可改善现有以二极管配置的场效晶体管电路的升压增益。以前一级的电压信号对后一级的MOS晶体管基板进行偏压，可舒缓三重井技术制作的MOS晶体管的栅极氧化层的应力。此一方法称为蛙跳式基板电压追踪法，可令不同级别的MOS晶体管呈现相同的基板效应，也即较高级别的MOS晶体管可以及较低级别的晶体管具有相同的效率。