公开(公告)号：CN101252127B

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200810082746.6

申请日：2008-03-05

申请人： 钰创科技股份有限公司

发明人： 许人寿 ,  王明弘

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L27/02

摘要： 一种去耦合电容电路包含有多个相互串联的深槽电容与多个推挽电路。该去耦合电容电路利用推挽电路来控制每一深槽电容的跨压，使其不受深槽电容的缺陷(泄漏电流)或者寄生元件的偏压影响。

公开(公告)号：CN100434886C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200510092431.6

申请日：2005-08-12

申请人： 钰创科技股份有限公司

发明人： 许人寿

IPC分类号： G01K7/00 ,  G01K1/00

CPC分类号： G01K7/01 ,  G01K1/026 ,  G01K2215/00

摘要： 一种低功率消耗和小电路面积温度感测器的电路和方法，该温度感应器是比别的温度感测器更精确，因为它使用的参考电压相对于温度具有较陡峭的斜率，此外，这个温度感测器比传统设计消耗更低的功率，因为它仅仅需要两个电压比较器，这是透过独特的传输闸电压选择系统来完成，它允许两个比较器在不同的温度控制状态模式下重复使用，该简单设计可被应用来增加检测温度的数目。

公开(公告)号：CN1725139A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510087294.7

申请日：2005-07-28

申请人： 钰创科技股份有限公司

发明人： 许人寿

IPC分类号： G05F1/567 ,  G05F3/26

CPC分类号： G05F3/30

摘要： 本发明公开了一种用于一能带隙参考电压源的PTAT偏压电路，包括一启动支电路。在一加电指示信号被启动之前，该加速电路强制该PTAT偏压电路从退化操作点切换到正常操作点。在检测到表示该PTAT偏压电路初始化的回馈信号时，该启动支电路就会独立于该加电指示信号的启动而终止该加速支电路的操作。

公开(公告)号：CN101604911B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200910151961.1

申请日：2007-11-15

申请人： 钰创科技股份有限公司

发明人： 许人寿

IPC分类号： H02M3/07 ,  H03K19/094 ,  G11C5/14

CPC分类号： H02M3/073 ,  H02M2003/077

摘要： 本发明为升压电路，所述的电路包含有：一输入级；一输出级；至少一双电路方块级，各级具有重要的四极或二端口特征，即各级具有一对电路方块，各电路方块具有一输入端与输出端此外所述的双电路方块尚具有两对辅助端点，各电路方块为镜像对称，具有相同结构、布局与相同数量与类型的组件；一对平行虚拟轨道，提供所述的输入级、至少一所述的双电路方块与所述的输出级间可能成线的连接，平行并对称在所述的虚拟中线；与一任意数量的主节点对的序列，位于所述的对平行虚拟轨道，其中各主节点对的两节点分别位于两平行虚拟轨道上。

公开(公告)号：CN101170275B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200710187259.1

申请日：2007-11-15

申请人： 钰创科技股份有限公司

发明人： 许人寿

IPC分类号： H02M3/07

CPC分类号： H02M3/073 ,  H02M2003/077

摘要： 本发明为一种可实现高效率电压倍增器的电路与方法，可由外部的低正负供应电压与地电位产生芯片内部所需的高正负供应电压。利用多相控制信号在内部节点的电压提升，可消除临界电压降损失，相较的下，可改善现有以二极管配置的场效晶体管电路的升压增益。以前一级的电压信号对后一级的MOS晶体管基板进行偏压，可舒缓三重井技术制作的MOS晶体管的栅极氧化层的应力。此一方法称为蛙跳式基板电压追踪法，可令不同级别的MOS晶体管呈现相同的基板效应，也即较高级别的MOS晶体管可以及较低级别的晶体管具有相同的效率。

公开(公告)号：CN101281786A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810081849.0

申请日：2008-05-08

申请人： 钰创科技股份有限公司

发明人： 陈子豪 ,  许人寿 ,  杨连圣 ,  蓝尹明

IPC分类号： G11C11/4078

摘要： 一种侦测一存储阵列中字元线损坏的方法，包含以下步骤：在一字元线耦接于一偏压源时，对该字元线所对应的存储单元写入一第一资料、于该字元线与该偏压源的耦接断开后，对该存储单元写入相异于该第一资料的一第二资料、读取该存储单元所储存的资料，及根据该读取资料、该第一资料、该第二资料，判断该字元线是否损坏。以及一种存储阵列中字元线损坏的侦测装置，包括第一写入单元，第二写入单元、读取单元和判断单元。本发明所提供的动态随机存取存储存储器阵列中字元线损坏的侦测方法与侦测装置，可以让使用者侦测哪些字元线有被其他字元线短路的情况。

公开(公告)号：CN1779855A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200410095633.1

申请日：2004-11-26

申请人： 钰创科技股份有限公司

发明人： 许人寿

IPC分类号： G11C11/4074 ,  G11C11/417 ,  G11C16/30

摘要： 本发明叙述一种低功率记忆体晶片的内部电源系统，其在晶片电源开启期间及在一致能状态期间，会提供大容量的内部电源，藉此可进行记忆体运作。记忆体晶片的待机状态只允许消耗较低的晶片功率，其中大容量电源会关闭，且记忆体晶片内部电压是由小容量电源提供。低功率记忆体晶片的待机状态与致能状态之间的切换是藉由启动及停止一待机讯号来达成。在晶片的电源开启期间，会监测内部及外部的晶片电压，以确保在关闭大容量电源及使晶片进入待机状态之前，已到达预定的电压准位。

公开(公告)号：CN1758176A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510109278.3

申请日：2005-10-20

申请人： 钰创科技股份有限公司

发明人： 许人寿

IPC分类号： G05F3/20

CPC分类号： G05F3/30

摘要： 本发明涉及一种低电压能隙参考电路，其主要是以电流加总技术为基础，且由一电路产生具有正与负温度系数参考电压的低电压能隙参考电路；其中这些参考电压是连接至放大电路，并根据那些放大电路中的电阻器的比率产生具有大小相等、方向相反的温度系数的参考电压，以藉此制造一个温度独立的参考电压，来自这些放大电路中的每一电流是合并在一个总和电阻器之中合计，这电阻器的大小决定此温度独立的参考电压大小。

公开(公告)号：CN1738170A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510084502.8

申请日：2005-07-15

申请人： 钰创科技股份有限公司

发明人： 许人寿 ,  丁达刚

IPC分类号： H02M3/07

CPC分类号： H02M3/073

摘要： 一种低功率应用的电荷泵系统的效率改进方法和装置，于第一实施例中是提供了一种方法和装置，其可界定出一可关闭一电荷泵激活讯号的电荷泵输出高标，以及一可激活一电荷泵激活讯号的电荷泵输出低标，于第二实施例中是界定了一保护时间，而电荷的汲引可持续至完成一预先定义的相位以及中断泄漏路径为止，于第三实施例中是界定了一相位内存区块，藉此可持续和提醒该相位至下一电荷汲引的请求出现为止，此可避免电路进入一降低电荷汲引效率的电荷泄漏的时域中。

公开(公告)号：CN101714412A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910212162.0

申请日：2009-11-11

申请人： 钰创科技股份有限公司

发明人： 许人寿 ,  丁国政

IPC分类号： G11C29/40

摘要： 本发明公开一种存储器的测试系统及相关存储模块。其中公开一种以数据压缩方式的测试系统，该测试系统包含第三数据端、第一编码器及第二编码器。该测试系统用来接收测试数据与测试地址以测试一存储器是否有损坏的存储单元。该存储器包含第一数据端、第二数据端与地址端。该第一编码器用来根据该测试地址，将该测试数据编码为该第一数据端对应存储单元的数据型态。该第二编码器用来根据该测试地址，将该测试数据编码为该第二数据端对应存储单元的数据型态。如此该第一数据端与该第二数据端对应存储单元皆能储存相同的测试数据。