-
公开(公告)号：CN113764418B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202110625681.0
申请日：2021-06-04
申请人： 钰创科技股份有限公司 , 发明创新暨合作实验室有限公司
发明人： 卢超群
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本发明公开了一种存储单元结构。所述存储单元结构包含一硅基板，一晶体管，和一电容。所述硅基板具有一硅表面。所述晶体管耦接所述硅表面，其中所述晶体管包含一栅极结构，一第一导通区，以及一第二导通区。所述电容具有一存储电极，其中所述电容位在所述晶体管上方以及所述存储电极电耦接所述晶体管的第二导通区。所述电容包含一电容周边，以及所述晶体管是位在所述电容周边之内。因此，相较于现有技术所述存储单元结构具有更致密的结构，较小的面积，较低的漏电流，较高的电容值等优点。
-
公开(公告)号：CN112992211B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202011489627.X
申请日：2020-12-16
申请人： 钰创科技股份有限公司
发明人： 夏浚
摘要： 本发明公开了一种存储控制器、存储器和存储系统。所述存储控制器包含命令处理器。当所述存储控制器执行访问命令时，所述命令处理器在发出激活命令至所述存储器之前产生一行地址信息至所述存储器。所述命令处理器基于所述访问命令发出所述行地址信息和所述激活命令。因此，相较于现有技术，所述存储器可利用所述行地址信息快速地开启对应的字线。
-
公开(公告)号：CN110827206B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910749627.X
申请日：2019-08-14
申请人： 钰创科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种过滤信号的数位滤波器。所述数位滤波器包含一处理器与一内存。所述处理器接收多个输入信号值以及对应所述多个输入信号值的多个输入加权值。所述内存储存一信号值集合与一统计信息集合。所述处理器依据所述多个输入信号值与所述信号值集合产生一检查结果，所述处理器根据所述检查结果更新所述内存中所述统计信息集合，并决定是否新增至少一新信号值至所述内存中所述信号值集合，其中所述处理器依据所述内存中所述信号值集合与所述统计信息集合产生一输出值。因此，本发明相较于现有技术，可以改善所述内存的储存效率。
-
公开(公告)号：CN117766488A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311239257.8
申请日：2023-09-25
申请人： 铨心半导体异质整合股份有限公司 , 钰创科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/31 , H01L25/16 , H10B80/00
摘要： 本公开提供一种半导体封装其包含：通过前侧或后侧电源供给网络供电的处理器裸晶，堆叠在所述处理器裸晶上的多个存储器裸晶及控制裸晶，与所述裸晶并排设置或设置在所述裸晶之间的多个高热导率互连，及乘载所有裸晶的衬底。所述衬底具有允许液体通过的第一腔体及冷却板，所述冷却板与最上侧的裸晶有直接热接触，且具有第二腔体，所述第二腔体经配置以连接到所述第一腔体且允许所述液体在所述第一腔体与所述第二腔体之间流动。所述半导体封装经配置可具有超越传统单侧互连及散热的拓扑，从而能够实践双侧或多侧的散热、电源供应及信号传输。
-
公开(公告)号：CN117542724A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310991344.2
申请日：2023-08-08
申请人： 铨心半导体异质整合股份有限公司 , 钰创科技股份有限公司
摘要： 一种形成预定直径的第一钻石复合晶圆、第二钻石复合晶圆或第三钻石复合晶圆的方法，包括以下步骤：准备多个钻石块，各钻石块的尺寸小于预定直径。将多个钻石块附着于具有预定直径的第一半导体基板上，以形成第一暂时复合晶圆，其中第一半导体基板的热导率小于钻石块的热导率；填充第一暂时复合晶圆的多个钻石块之间的间隙，形成第一钻石复合晶圆；或者，将第一钻石复合晶圆附着到具有预定直径的第二半导体基板上，以形成第二钻石复合晶圆，或者从第一钻石复合晶圆上去除第一半导体基板，以形成第三钻石复合晶圆。
-
公开(公告)号：CN116895535A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310322517.1
申请日：2023-03-29
申请人： 铨心半导体异质整合股份有限公司 , 钰创科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/367 , H01L21/78
摘要： 本申请公开一种形成具有第一尺寸的复合半导体晶圆的方法。此方法包括：将一散热层组合贴附到临时载体；将具有该散热层组合的临时载体接合至具有第一尺寸的半导体基板，使得该散热层组合接合至该半导体基板；去除临时载体形成第一尺寸的复合半导体晶圆。
-
公开(公告)号：CN115410612A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210586140.6
申请日：2022-05-27
申请人： 钰创科技股份有限公司 , 发明创新暨合作实验室有限公司
IPC分类号： G11C5/14 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C11/4074 , G11C11/408 , G11C11/4094
摘要： 本发明公开了一种动态随机存取存储器和存储器系统。所述动态随机存取存储器包含第一维持电压源和动态随机存取存储器核心电路。所述第一维持电压源用于产生第一电压，其中所述第一电压高于应用在所述动态随机存取存储器中高电平信号的电平。所述动态随机存取存储器核心电路具有动态随机存取存储器单元，其中所述动态随机存取存储器单元包含存取晶体管和储存电容。所述储存电容是选择性地耦接所述第一维持电压源。所述主供电电压源提供给所述动态随机存取存储器的电平是和另一主供电电压源提供给所述外部逻辑电路的电平相同或是实质上相同。因此，本发明不仅可缓解漏电流问题以维持储存的数据，以及也可优化能源效率和性能同步。
-
公开(公告)号：CN111292787B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201911244658.6
申请日：2019-12-06
申请人： 钰创科技股份有限公司 , 发明创新暨合作实验室有限公司
发明人： 卢超群
IPC分类号： G11C11/4074 , G11C11/4078 , G11C5/14
摘要： 本发明公开了一种动态随机存取存储器。所述动态随机存取存储器包含一动态随机存取存储器单元和一存取晶体管，其中所述存取晶体管包含一栅极。完整的存取周期包含一存取操作期间和在所述存取操作期间后的一恢复期间，及当所述完整的存取周期开始时，所述存取晶体管的栅极被施加一第一电压于所述存取操作期间的第一部分，然后在所述存取操作期间的第二部分所述存取晶体管的栅极被施加一第二电压。所述第一电压高于所述存取晶体管的阈值电压和应用在所述动态随机存取存储器中一高电平信号的电压的总和，及所述第二电压低于所述第一电压。因此，所述存取晶体管不仅具有高可靠性和高性能，且在一待机模式中具有较低的漏电流。
-
公开(公告)号：CN114078512A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010824605.8
申请日：2020-08-17
申请人： 钰创科技股份有限公司 , 发明创新暨合作实验室有限公司
IPC分类号： G11C11/4074 , G11C11/408 , G11C11/4091 , G11C11/4094
摘要： 本发明公开了一种动态随机存取存储器。所述动态随机存取存储器包含动态随机存取存储器单元和字线。而所述动态随机存取存储器单元包含存取晶体管和储存电容，所述字线耦接所述存取晶体管的栅极。在所述字线被选择以开启所述存取晶体管以及所述字线不被选择以关闭所述存取晶体管之间，第一电压或第二电压被储存在所述动态随机存取存储器单元。所述第一电压高于应用在所述动态随机存取存储器中的高电平信号的电压，而所述第二电压低于应用在所述动态随机存取存储器中低电平信号的电压。因此，在所述存取晶体管关闭后，即使有所述储存电容的漏电流通过所述存取晶体管，但所述储存电容内的电荷可比现有的动态随机存取存储器的架构维持更长的一段时间。
-
公开(公告)号：CN113838754A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110706370.7
申请日：2021-06-24
申请人： 钰创科技股份有限公司 , 发明创新暨合作实验室有限公司
发明人： 卢超群
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417
摘要： 本发明公开了一种晶体管结构及其相关制造方法。所述晶体管结构包含一半导体基底、一栅极结构、一信道区、一第一导电区以及一第一隔离区。所述半导体基底具有一半导体表面。所述栅极结构具有一长度。所述第一导电区电耦接所述通道区。所述第一隔离区位于所述第一导电区旁边。所述第一导电区的长度是通过一单一光刻工艺所控制，且所述单一光刻工艺原本是用以定义所述栅极结构的长度。因此，相较于现有技术，本发明可准确控制所述晶体管结构的源极/漏极和接触开口的长度以有效缩小所述晶体管结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
378 条记录 (耗时 0.063 秒)
