发明授权
- 专利标题: 碳纳米管键合焊盘结构及其制造方法
- 专利标题(英): Carbon nanotube bond pad structure and method therefor
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申请号: CN200680018797.1申请日: 2006-03-27
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公开(公告)号: CN101185164B公开(公告)日: 2010-09-01
- 发明人: 克里丝·怀兰德
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司,申请人
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 朱进桂
- 优先权: 60/666,038 2005.03.28 US
- 国际申请: PCT/IB2006/050929 2006.03.27
- 国际公布: WO2006/103620 EN 2006.10.05
- 进入国家日期: 2007-11-28
- 主分类号: H01L23/485
- IPC分类号: H01L23/485 ; H01L23/522
摘要:
一种用于集成电路(IC)的键合焊盘结构(300),使用碳纳米管以提高线键合(360)的强度和弹性。在示例实施例中,在IC衬底上有键合焊盘结构(300),该键合焊盘结构包括:具有顶表面和底表面的第一导电层(310),底表面附着于IC衬底上。在第一导电层(310)的顶表面上沉积电介质层(320),该电介质层具有通路阵列(325),通路阵列中填充有碳纳米管材料(325),该碳纳米管材料(325)与第一导电层(310)电耦合。存在着具有顶表面和底表面的第二导电层(330),该第二导电层的底表面与碳纳米管材料(325)电耦合。该实施例的特征也可以包括由碳纳米管材料组成的第一(410、510)或第二(430、530)导电层。
公开/授权文献
- CN101185164A 碳纳米管键合焊盘结构及其制造方法 公开/授权日:2008-05-21
IPC分类: