- 专利标题: Al-Ni-La体系Al-基合金溅射靶及其制备方法
- 专利标题(英): Al-Ni-La system Al-based alloy sputtering target and process for producing the same
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申请号: CN200710192798.4申请日: 2007-11-20
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公开(公告)号: CN101187007A公开(公告)日: 2008-05-28
- 发明人: 得平雅也 , 高木胜寿 , 钉宫敏洋 , 米田阳一郎 , 后藤裕史
- 申请人: 株式会社神户制钢所 , 株式会社钢臂功科研
- 申请人地址: 日本兵库县
- 专利权人: 株式会社神户制钢所,株式会社钢臂功科研
- 当前专利权人: 株式会社神户制钢所,株式会社钢臂功科研
- 当前专利权人地址: 日本兵库县
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 陈平
- 优先权: 2006-313506 2006.11.20 JP
- 主分类号: C23C14/34
- IPC分类号: C23C14/34 ; C23C14/14 ; C22C21/00 ; C22C1/02 ; B22D17/00 ; C22F1/04
摘要:
本发明涉及一种含有Ni和La的Al-Ni-La体系Al-基合金溅射靶,其中,当通过扫描电子显微镜在2000倍的放大倍数观察垂直于溅射靶平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t:厚度)的截面时,(1)按面积分数计,平均粒径为0.3μm至3μm的Al-Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni体系金属间化合物的总面积为70%以上,所述Al-Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成;和(2)按面积分数计,平均粒径为0.2μm至2μm的Al-La体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-La体系金属间化合物的总面积为70%以上,所述Al-La体系金属间化合物主要由Al和La组成。
公开/授权文献
- CN100575542C Al-Ni-La体系Al-基合金溅射靶及其制备方法 公开/授权日:2009-12-30
IPC分类: